学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

深紫外光照射延缓光罩结晶生长的研究

作　者: 王小飞
导　师: 李玲霞；张书庆
学　校: 天津大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 光刻光罩结晶深紫外光照射
分类号: TN305.7
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 7次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

本文研究了在光刻制程过程中对于光罩结晶的控制优化问题,主要针对光罩使用过程中不可避免且很严重的结晶问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了有效延缓。具体内容如下:1.光刻工艺中光罩结晶的问题光罩的结晶缺陷在光刻制程中是一个不可避免且很严重的问题,结晶缺陷会影响光罩的穿透率从而造成晶片上重复性的缺陷,会使成品率大大降低。2.光罩结晶形成的原理及其负面影响产生结晶缺陷的原理是酸根与氨根结合产生的盐,通常结晶是在光罩使用2~5个月后产生,因为曝光机的光源对结晶的产生也起了催化剂的作用,尤其是光源波长越短结晶产生越快。这时需要清洗这块光罩,这不仅需要花费大量的金钱(线宽比较小的光罩清洗3~5次后就会报废,而且每清洗一块光罩需要更换新的保护膜,又是一笔费用),同时清洗过程所花费的时间对生产部的生产也是一个不可忽略的损失。3.光罩结晶的控制基于短波长对结晶的生长起到了催化的作用,所以在清洗有结晶的光罩前用短波长的光源照射,使光罩表面的酸根与氨根充分反应生成易于清洗的盐,这样酸根与氨根在光罩上的残留就会大大降低。这样的光罩清洗一次在外界条件不变的情况下能保持一年以上不产生大量的结晶。

全文目录

摘要  3-4
ABSTRACT  4-7
第一章绪论  7-15
  1.1 晶圆介绍及光刻基本原理  7-9
  1.2 传统光学光刻的极限  9-10
    1.2.1 降低工艺因子（k1）  9
    1.2.2 缩短曝光波长（λ）  9
    1.2.3 提高物镜的数值孔径（NA）  9-10
  1.3 下一代光刻技术  10-14
    1.3.1 X 射线光刻技术  10-11
    1.3.2 纳米压印光刻技术  11
    1.3.3 电子束光刻技术  11-12
    1.3.4 离子束光刻技术  12-13
    1.3.5 原子光刻技术  13-14
  1.4 本文研究的主要内容和方向  14-15
第二章光刻制作的重要部件——光罩  15-22
  2.1 光罩简单介绍  15
  2.2 光罩在光刻制程中的作用  15-18
  2.3 光罩制造新工艺  18-22
    2.3.1 涂布前的清洗  19
    2.3.2 光罩MPS 的涂布  19-20
    2.3.3 经涂布后光罩的保管  20
    2.3.4 经使用多次和膜表面有划痕的光罩的处理  20-22
第三章光罩在使用过程中的结晶缺陷问题  22-36
  3.1 光刻工艺主要缺陷对成品率的影响  22-26
    3.1.1 掩模胶中存在的颗粒和空气中的灰尘引入的点缺陷  23-24
    3.1.2 工艺过程中的机械损(划)伤缺陷  24-25
    3.1.3 掩模胶中的针孔缺陷  25-26
    3.1.4 光罩质量引起的缺陷  26
  3.2 光罩方面的主要缺陷及影响  26-28
  3.3 光罩缺陷的修补  28-33
    3.3.1 激光气化法  28-30
    3.3.2 局部曝光法  30-31
    3.3.3 墨水滴注法  31
    3.3.4 局部遮盖曝光法  31
    3.3.5 激光局部蒸镀法  31-32
    3.3.6 激光微化学  32
    3.3.7 离子束修补  32-33
  3.4 光罩结晶缺陷的主要原因分析  33-36
第四章光罩结晶生长速度的有效控制  36-46
  4.1 光罩的清洗  36-41
    4.1.1 先进掩膜清洗技术——化学剥离清洗法  38
    4.1.2 先进掩膜清洗技术——气体吹扫清洗法  38-39
    4.1.3 先进掩膜清洗技术——精密光罩清洗工艺  39-41
  4.2 在光罩清洗过程中采取措施控制及其验证  41-44
  4.3 控制结晶生长速度的有效方法  44-46
第五章结论  46-47
参考文献  47-49
致谢  49

深紫外光照射延缓光罩结晶生长的研究

内容摘要

全文目录

相似论文