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0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究

作　者: 周迅来
导　师: 张卫；鲍晔
学　校: 复旦大学
专　业: 集成电路工程
关键词: 逻辑电路光刻对准偏焦光酸卫星缺陷
分类号: TN305.7
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
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内容摘要

本文主要在典型的0.16um逻辑电路SRAM工作区工艺参数的优化,主要针对目前国内200mm晶圆FAB常见的逻辑电路,对电路中的SRAM工作区的设计缺陷以及工艺制程上的缺陷从实际生产中进行优化。本文主要针此产品光刻工艺中遇到的三大问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了此产品的量产。具体内容如下：1.前段ACT layer的机台对准的匹配问题常见逻辑电路的ACT layer往往是整个晶圆生产的第一步,其自身的自对准问题虽然没有受前层影响问题,但本身的对准偏移量会对后层的对准问题带来很多工程控制上的困难,ACT SRAM工作区同样对这种对准要求很高,本节主要介绍光刻工艺中的对准工艺的介绍,对准参数的分析,以及ACT SRAM对准难点问题的解决办法。2.0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷的优化SRAM工作区的线宽要求很高,本章节先是在光刻过程中从0.16umSRAM产品的特殊性对SRAM工作区断线连桥问题做出工艺改善分析,接下来是从设计weak point系统来杜绝SRAM工作区的断线连桥问题。3.0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法目前制程中的0.16umSRAM产品,卫星缺陷就是一种在此制程过程中容易产生的一种缺陷,影响严重会致使良率降低。本章节就是对曝光后光酸烘烤反应入手解决此缺陷。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-5
引言  5-22
  第一节光刻基本原理和光刻技术的发展  5-14
  第二节光刻技术的发展  14-18
  第三节本文研究的主要内容和方向  18-22
第二章工作区图层SRAM的机台对准的匹配问题  22-30
  第一节对准方法和对准补偿模型的介绍  22-25
  第二节 0.16um SRAM ACT layer补偿模型量的差异及原因  25-27
  第三节 Scanner机台解决对准匹配的方法  27-30
第三章 0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷优化  30-41
  第一节 SRAM断线连桥缺陷介绍  30-32
  第二节 SRAM区域断线连桥缺陷分析  32-36
  第三节对于0.16umSRAM逻辑电路晶圆生产中的优化控制  36-41
第四章 0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法  41-49
  第一节关于卫星缺陷的介绍  41-42
  第二节导致卫星缺陷的原因分析  42-43
  第三节解决卫星缺陷的方案  43-49
结论  49-51
参考文献  51-53
后记  53-54

0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究

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