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薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究

作　者: 马亮
导　师: 郝久玉；皇甫鲁江
学　校: 天津大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 液晶显示器四次掩模光刻变暗调制有源层残留
分类号: TN321.5
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 72次
引　用: 1次
阅　读: 论文下载

内容摘要

随着信息显示技术的发展,显示终端已经由传统的CRT显示器转变为平板显示器。具有轻、薄、无辐射及便携式等特点的液晶显示器已经遍布到了我们的日常工作和生活中。经过十几年来的发展,TFT-LCD制造工艺也随着产品设计的优化、原材料的特性开发、设备技术的改进及工艺控制能力的提升取得了大幅度的进步。尤其是TFT的制程从最初的七次掩模光刻工艺发展到了目前成功应用于量产的四次掩模光刻,大大的降低了制造成本,使TFT-LCD产品的价格变得能被越来越的人们接受。本论文将在对TFT及TFT-LCD的结构及其工作原理进行介绍的基础上,重点阐述行业内广为应用的五次光刻工艺制程。通过对Gray Tone技术掩模板的研究和设计,介绍旨在降低制造成本的四次掩模光刻工艺技术的开发过程。与此同时,针对工艺开发过程中Slit的设计对沟道处光刻胶的影响、Active残留和源漏金属残留等课题进行了测试研究。四次掩模光刻工艺技术的成功开发并用于量产,降低了生产成本,为企业取得了较好的经济效益,对于我国TFT-LCD制造技术的发展具有里程碑的意义。

全文目录

中文摘要  3-4
Abstract  4-5
缩写编号以及符号对应表  5-8
第一章绪论  8-15
  1.1 前言  8-9
  1.2 液晶显示技术的发展史  9-12
    1.2.1 液晶的发现与应用  9-10
    1.2.2 TFT技术的发展  10-12
  1.3 TFT-LCD的主要特点  12-13
  1.4 液晶显示面板尺寸的发展  13-14
  1.5 本论文的研究内容及意义  14-15
第二章 TFT的结构、工作原理与驱动  15-28
  2.1 TFT的结构  15-20
    2.1.1 反交叠型a-Si:H TFT结构  15-18
    2.1.2 交叠型a-Si:H TFT结构  18
    2.1.3 短沟道a-Si:H TFT  18-19
    2.1.4 共面型a-Si:H TFT结构  19-20
  2.2 TFT的工作原理  20-22
    2.2.1 线性区  20-21
    2.2.2 饱和区  21-22
  2.3 TFT结构中功能薄膜的特点  22-26
    2.3.1 氢化非晶硅薄膜的特点  22-24
    2.3.2 SiNx薄膜的特点  24-26
    2.3.3 磷掺杂的氢化非晶硅薄膜的特点  26
  2.4 TFT-LCD的驱动原理  26-27
  2.5 本章小节  27-28
第三章 TFT LCD显示原理及四次光刻掩模设计  28-38
  3.1 TFT LCD基本结构与显示原理  28-31
    3.1.1 TFT LCD基本结构  28-29
    3.1.2 TFT LCD显示原理  29-31
  3.2 光刻工艺技术的发展  31-37
    3.2.1 五次光刻工艺技术  32-33
    3.2.2 四次光刻掩模技术设计  33-37
  3.3 本章小节  37-38
第四章四次光刻技术的工艺开发  38-50
  4.1 四次光刻技术的工艺开发流程  38-45
  4.2 四次光刻技术工艺开发中的案例研究  45-48
    4.2.1 Slit的设计对光刻胶的影响  45-46
    4.2.2 Active Tail残留的解决  46-47
    4.2.3 源漏金属残留  47-48
    4.2.4 四次光刻技术工艺开发中的TFT电学特性测试  48
  4.3 本章小节  48-50
第五章总结  50-51
参考文献  51-55
致谢  55

薄膜晶体管液晶显示器四次光刻工艺研究

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