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脉冲激光沉积方法制备太阳电池材料硫化锡及其性质的研究
作 者: 李丽丽
导 师: 梁齐
学 校: 合肥工业大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 硫化锡 脉冲激光沉积 衬底温度 太阳电池材料
分类号: TM914.4
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
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内容摘要
能源节约和环境保护问题已经是当今全世界普遍关注的两大问题。而太阳电池作为一种节能环保装置,是利用太阳能产生光伏效应的一种光电转换器件,有着广阔的发展前景。硫化锡(SnS),以其安全无毒、资源丰富、转换效率高等优点,已经成为受到国内外研究者极大关注的一种新型太阳电池材料。SnS的直接禁带宽度Eg为1.3~1.5eV,接近太阳能电池的最佳禁带宽度;在理论上其能量转换效率达到25%;吸收系数α>104cm-1,用于制作太阳电池材料消耗少,还可固体化、薄膜化。因此,它非常适合于做太阳能电池的吸收层材料,已成为第三代薄膜太阳能电池的首选材料。本文利用脉冲激光沉积法制备硫化锡薄膜,并研究了不同衬底温度对制备得到的硫化锡薄膜的结构组成、表面形貌、光学特性及电学特性的影响。为了改善硫化锡薄膜的电学特性,还对其进行了初步掺杂。实验及测试结果表明:1)制备的硫化锡薄膜样品为具有斜方晶系的多晶结构薄膜,用脉冲激光沉积法制备的硫化锡薄膜样品在(111)晶面上有明显的择优取向性,且在一定范围内,随衬底温度升高而增强。2)在100℃~400℃范围内,衬底温度越高,硫化锡薄膜表面晶粒生长越均匀,粗糙度先增大后减小。3)硫化锡薄膜样品的吸收系数高达105cm-1,且衬底温度越低,吸收越强烈。硫化锡薄膜的直接禁带宽度为1.39~1.46eV,间接禁带宽度为1.25~1.38eV。禁带宽度在200℃时最大,400℃时最小。4)硫化锡薄膜的电导率随衬底温度的升高而有数量级地增加,薄膜的光暗电导比在衬底温度200℃时最大。5)样品具有光致发光特性,硫化锡薄膜均在820nm处有较窄的发射峰,且强度随衬底温度的升高而减弱。说明随衬底温度的逐渐升高,薄膜中非辐射性复合过程增加。6)在硫化锡薄膜中掺入适量的Cu (II)能有效地提高薄膜的电导率。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-8 致谢 8-14 第一章 绪论 14-21 1.1 引言 14-15 1.2 太阳电池介绍 15-19 1.2.1 太阳电池原理 15 1.2.2 太阳电池分类 15-17 1.2.3 太阳电池的性能参数 17-19 1.2.4 太阳电池应用 19 1.3 太阳电池的发展前景 19-21 1.3.1 薄膜太阳电池发展前景 19-20 1.3.2 硫化锡材料的优势 20-21 第二章 硫化锡性质及其研究进展 21-28 2.1 硫化锡的性质与研究进展 21-26 2.1.1 硫化锡的基本性质 21-22 2.1.2 硫化锡的研究进展 22-26 2.2 硫化锡太阳电池研究进展 26-27 2.3 本文研究内容 27-28 第三章 脉冲激光沉积系统简介与硫化锡薄膜的制备 28-34 3.1 脉冲激光沉积原理 28 3.2 薄膜的生长过程 28-30 3.3 影响薄膜生长的因素 30-32 3.4 脉冲激光沉积设备 32 3.5 硫化锡薄膜的制备 32-34 第四章 硫化锡薄膜结构和表面形貌分析 34-43 4.1 硫化锡薄膜结构分析 34-37 4.1.1 X 射线衍射原理 34-35 4.1.2 硫化锡薄膜的XRD 分析 35-37 4.2 硫化锡薄膜表面形貌及成分分析 37-43 4.2.1 硫化锡薄膜的AFM 分析 37-39 4.2.2 硫化锡薄膜的EDS 分析 39-43 第五章 硫化锡薄膜光学和电学性能分析 43-58 5.1 半导体的光学性质 43-45 5.1.1 光在半导体薄膜表面上的反射和透射 43 5.1.2 半导体对光的吸收 43-45 5.2 硫化锡薄膜的光学性质研究 45-53 5.2.1 硫化锡薄膜的透射率及吸收系数 45-46 5.2.2 硫化锡薄膜的禁带宽度 46-52 5.2.3 半导体的光致发光特性 52-53 5.2.4 不同衬底温度对硫化锡光致发光特性的影响 53 5.3 金属与半导体的接触和电极的制备 53-54 5.4 半导体的光电导 54-55 5.5 硫化锡薄膜的电学性质研究 55-58 5.5.1 衬底温度对硫化锡薄膜的电学性质的影响 55-57 5.5.2 掺杂对硫化锡薄膜的电学性质的影响 57-58 总结与展望 58-59 参考文献 59-63 攻读硕士学位期间发表的论文 63-64
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中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 独立电源技术(直接发电) > 光电池 > 太阳能电池
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