学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示
工艺参数对氮化硼薄膜结构相的影响
作 者: 张德学
导 师: 严辉;王波
学 校: 北京工业大学
专 业: 凝聚态物理
关键词: 微波电子回旋共振化学气相沉积 等离子体增强化学气相沉积 射频 磁控溅射 取向六角氮化硼 、立方氮化硼 负偏地 衬底温度
分类号: O484.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2001年
下 载: 165次
引 用: 2次
阅 读: 论文下载
内容摘要
六角氮化硼(h-BN)和立方氮化硼(c-BN)由于其优异的物理化学性质受到越来越多的重视,作为新型的人工合成功能材料,它们具有极其广泛的应用前景。 本文采用微波电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECR-CVD)、射频耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及射频磁控溅射技术制备出完全取向生长的h-BN薄膜。用FTIR、XRD、AFM、XPS等手段对沉积薄膜进行了表征,并利用FTIR的结果系统研究了沉积参数对h-BN薄膜取向生长的影响。结果表明,取向h-BN薄膜只有在合适的反应气体分压比下才能制备出来;首次发现温度对h-BN薄膜的取向生长具有决定性的作用:低温下,由于薄膜形核后其横向生长速度大于纵向生长速度,结果生长的h-BN薄膜c轴平行于衬底表面;高温下,临界核的纵向生长速度大于横向生长速度,结果生长的h-BN薄膜c轴垂直于衬底表面。同时发现,施加过高的衬底负偏压会破坏沉积薄膜的长程有序性而导致随机取向生长。 进一步采用热丝辅助的微波电子回旋共振化学气相沉积和射频磁控溅射技术制备出了立方相含量较高的BN薄膜,主要研究了射频功率和热丝电流对立方相形成的影响。结果发现,立方相只有在一定的射频功率下形成,并且热丝电流的大小对c-BN的形核与生长具有重要的影响。 最后,我们对衬底负偏压增强的BN形核机制进行了初步的理论探讨。
|
全文目录
中文摘要 6-7 英文摘要 7-8 第一章 绪论 8-30 1.1 氮化硼的相、性质及应用 8-14 1.1.1 氮化硼的相 8-9 1.1.2 立方氮化硼的性质和应用 9-12 1.1.3 六角氮化硼的性质和应用 12-14 1.1.4 三角氮化硼和密排六角氮化硼的性质和应用 14 1.2 c-BN薄膜的合成技术 14-19 1.2.1 c-BN薄膜的研究历史和目前状况 14-16 1.2.2 c-BN薄膜的制备技术 16-19 1.2.3 c-BN薄膜的层状结构 19 1.3 c-BN薄膜的表征 19-20 1.3.1 傅立叶变换红外谱 19-20 1.3.2 X射线/电子衍射 20 1.3.3 成分分析 20 1.4 影响BN薄膜沉积的因素 20-22 1.5 c-BN薄膜的生长机制 22-24 1.5.1 溅射模型 22 1.5.2 热峰模型 22-23 1.5.3 应力模型 23 1.5.4 注入模型 23-24 1.6 c-BN薄膜研究中存在的问题 24-26 1.6.1 粘附性 24-25 1.6.2 sp~2杂化层的存在 25 1.6.3 结晶质量和生长速度 25-26 参考文献 26-30 第二章 微波电子回旋共振CVD制备BN薄膜 30-48 2.1 引言 30 2.2 MW-ECR等离子体的性质和应用 30-37 2.2.1 等离子体的概念 30-31 2.2.2 产生等离子体的方法 31 2.2.3 等离子体的判据 31 2.2.4 微波等离子体的原理和性质 31-33 2.2.5 ECR原理 33-34 2.2.6 影响ECR等离子体密度的因素 34 2.2.7 影响ECR等离子体均匀性的因素 34-35 2.2.8 ECR等离子体中电子对微波能量的吸收 35-36 2.2.9 ECR等离子体的应用 36-37 2.2.10 ECR-CVD系统结构示意图 37 2.3 结果与讨论 37-46 2.3.1 不同分压比下制备取向h-BN薄膜 38-41 2.3.2 沉积时间对取向生长的影响 41-42 2.3.3 偏压对取向h-BN薄膜生长的影响 42-44 2.3.4 热丝辅助ECR-CVD制备c-BN薄膜 44-46 2.4 结论 46-47 参考文献 47-48 第三章 PECVD制备取向h-BN薄膜 48-58 3.1 引言 48 3.2 PECVD原理 48-51 3.2.1 PECVD的特点和应用 48-50 3.2.2 射频PECVD 50 3.2.3 沉积系统结构示意图 50-51 3.3 结果与讨论 51-56 3.3.1 样品制备 51 3.3.2 衬底温度对取向h-BN薄膜生长的影响 51-53 3.3.3 不同反应气体分压对取向h-BN薄膜生长的影响 53-54 3.3.4 高低温结合沉积BN薄膜 54-55 3.3.5 取向h-BN薄膜的AFM照片 55-56 3.4 结论 56-57 参考文献 57-58 第四章 射频磁控溅射制备c-BN薄膜 58-73 4.1 引言 58 4.2 射频磁控溅射的原理 58-64 4.3 结果与讨论 64-71 4.3.1 样品的FTIR谱图 64-65 4.3.2 射频功率对c-BN形成的影响 65-67 4.3.3 温度对取向h-BN薄膜生长的影响 67-68 4.3.4 室温沉积c-BN薄膜 68-69 4.3.5 成分分析 69-71 4.4 结论 71-72 参考文献 72-73 第五章 偏压对BN形核的影响 73-78 5.1 引言 73 5.2 衬底负偏压对反应活性离子数目的影响 73-74 5.3 离子轰击对衬底表面形貌和BN形核阈值能的影响 74-75 5.4 负偏压增强的离子在衬底表面的扩散 75-76 5.5 结论 76-77 参考文献 77-78 第六章 结论 78-80 致谢 80-81 发表论文 81
|
相似论文
- LSGM电解质薄膜制备与电化学性能研究,TM911.4
- BiFeO3/Bi3.25La0.75Ti3O12双层多铁薄膜的制备及性能研究,O484.4
- 光伏材料氢化纳米硅中成键氢对材料结构及缺陷的影响,TB383.1
- BiFeO_3靶材及薄膜的制备与性能研究,O484.1
- 阳极负载IT-SOFC电解质薄膜的制备及性能研究,TM911.4
- 磁控溅射法制备氮化硅薄膜及其性能研究,O613.72
- 氧化锌薄膜晶体管的制备与研究,TN321.5
- 二硫化钨(WS_2)薄膜的制备及其摩擦学性能,O313.5
- 聚碳酸酯(PC)上沉积类金刚石膜的性能研究,TB383.2
- 全透明InGaZnO_4薄膜晶体管,TN321.5
- 单相Ag_2O光存储和磁光存储薄膜的射频磁控溅射研究,O484.1
- 磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究,O484.4
- AZO薄膜的制备和性能研究及其在CIGS太阳能电池中的应用,TM914.42
- TiO_2薄膜的制备与掺杂特性研究,O614.411
- 脉冲激光沉积制备不同择优取向的AlN薄膜的研究,TN249
- CuO薄膜和Cu/TiO_x复合薄膜的制备与表征,TB383.2
- 太阳电池窗口层碳化硅薄膜掺杂研究,TM914.4
- 等离子体增强化学气相沉积法制备优化TiO_2薄膜及其光学性能研究,TN304.055
- 稀土Nd掺杂FeCo纳米磁性薄膜的结构和磁性,TB383.2
- PIN单结非晶硅薄膜太阳能电池的制备及研究,TM914.4
- AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜的PECVD制备及其光电特性的研究,O484
中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的生长、结构和外延
© 2012 www.xueweilunwen.com
|