学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

PIN雪崩整流二极管雪崩特性的研究

作 者: 荣凡
导 师: 关艳霞
学 校: 沈阳工业大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 雪崩击穿 浪涌电流 二极管
分类号: TN312.7
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 111次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
 

内容摘要


随着汽车行业的迅猛发展,并联在供电线路上的许多电子控制器和设备与过去大不相同,汽车在运行中常有各种电子干扰产生,抛负载会产生大的瞬态电压和浪涌电流。雪崩整流二极管能有效抑制瞬态电流与电压,保护汽车中的电子调节器、电子点火、电子燃油喷射系统等重要部件。汽车雪崩整流二极管应用于汽车交流发电机中,由于恶劣多变的工作环境,使得此类二极管在性能要求上比普通二极管更为严格,比如良好的高温特性、高的反向浪涌能力,雪崩整流二极管能有效抑制瞬态电流与电压,保护汽车中的电子调节器、电子点火、电子燃油喷射系统等重要部件,而抗反向浪涌电流的能力是车用整流二极管的重要指标之一。本文的主要目的是对车用雪崩整流二极管的雪崩击穿特性进行理论与仿真分析,首先进行了雪崩整流二极管的阻断参数设计,得到雪崩整流二极管的结构参数,并结合实验数据与软件仿真对参数的合理性进行了验证。其次,本文又对车用雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析,提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因,在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力。利用MEDICI二维器件仿真软件对雪崩整流二极管的雪崩特性进行了仿真分析,对不同的基区宽度,不同基区浓度,不同温度下,一些缓冲层结构的雪崩整流二极管的雪崩特性进行了模拟仿真与结果对比分析。验证了加大基区浓度,提高基区宽度,采取缓冲层结构对于提高雪崩整流二极管浪涌电流能力的作用。对雪崩整流二极管的动态雪崩现象进行了一定的分析研究,雪崩整流二极管的动态雪崩现象与电流丝的形成是造成二极管损坏的重要原因。

全文目录


相似论文

  1. 光环境调控对水稻幼苗和黑豆芽苗菜生长发育的影响,S511
  2. 近紫外光激发下白光发射的镝掺杂七铝酸十二钙粉体制备及光学特性研究,O482.3
  3. 晶体管温升测试的仿真评估,TN32
  4. 利用纳米压印技术制备光子晶体LED的研究,TN312.8
  5. 基于逆向反馈优化方法的LED自由曲面透镜设计与研究,TN312.8
  6. 基于多孔结构提高LED出光效率的研究,TN312.8
  7. 紫外LED封装技术研究,TN312.8
  8. 基于硅磁敏二极管开关电路的设计,TN313.6
  9. PIN二极管动态特性的计算机仿真分析与研究,TN312.4
  10. 360°电调移相器的设计与优化,TN623
  11. Y公司车用整流二极管自动化生产线技改项目可行性研究,F426.6
  12. 电调谐雷达吸波材料研究,TB34
  13. 金属封装整流二级管的设计与制造,TN313.5
  14. 大功率高隔离PIN二极管收发开关电路设计与软件仿真研究,TP391.9
  15. 新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究,TN386
  16. 4H-SiC PiN二极管少子寿命的研究,TN31
  17. 半导体激光器的宽谱快速调谐及其在气体检测中的应用,TN248.4
  18. 电磁能量选择表面的结构设计及其在强电磁脉冲防护中的应用分析,O441.4
  19. 4T有源像素图像拖影消除的工艺模拟与器件仿真,TP391.41
  20. 瞬态电压抑制二极管可靠性筛选工艺研究,TN31
  21. MOCVD技术与GaN材料外延工艺,TN304.055

中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体二极管 > 二极管:按结构和性能分 > 雪崩二极管
© 2012 www.xueweilunwen.com