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利用纳米压印技术制备光子晶体LED的研究
作 者: 邱飞
导 师: 徐智谋
学 校: 华中科技大学
专 业: 物理电子学
关键词: 发光二极管 纳米压印 光子晶体
分类号: TN312.8
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
因为具有高效率、可靠性、低功耗和稳定性的优点,发光二极管(LED)作为新一代的照明光源获得了快速发展。但是由于GaN的高折射率(n=2.46)导致光从GaN中逸出的临界角大约为24度,LED的光提取效率仅仅只有4%。光子晶体作为一种有效的提高LED光萃取效率的方法,近十年来受到了广泛的研究。本论文主要对蓝光波段光子晶体的设计和纳米压印制备光子晶体LED进行研究。采用Rsoft软件对四种常见光子晶体结构进行了模拟设计,并结合制备工艺和ITO扩展电极的导电效应进行分析比较,最终选择三角空气孔阵列光子晶体结构,光子晶体优化参数为占空比Rp=0.8、周期a=418nm、半径r=167nm。实验采用纳米压印技术和ICP(感应耦合等离子体)刻蚀技术在蓝光LED的P-GaN层上制备光子晶体。为了减少工艺对LED的损伤,我们对纳米压印技术和ICP刻蚀技术参数进行了改进,采用二次纳米压印,软压印和低RF功率ICP刻蚀的方法制备光子晶体图案。实验结果显示光子晶体图案成功转移到P型层上,直径大约312nm,周期大约410nm,误差小于7%。光子晶体刻蚀深度为70nm的LED外延片对比没有图形的LED外延片光致发光强度提高2倍。在350mA电流注入条件下,刻蚀深度为70nm和100nm的光子晶体LED芯片对比没有图形的LED芯片光功率分别提高10%和7%,光子晶体LED相对无图形LED的正向电压变化不大。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 1 绪论 8-11 1.1 研究背景 8 1.2 光子晶体LED 的研究进展 8-10 1.3 本论文研究内容及意义 10-11 2 提高LED 出光效率的方法 11-19 2.1 LED 的基本原理 11-12 2.2 LED 的效率问题 12-14 2.3 提高LED 出光效率的方法 14-18 2.4 本章小结 18-19 3 光子晶体LED 的设计 19-35 3.1 光子晶体的原理及其应用 19-24 3.2 光子晶体的设计 24-34 3.3 本章小结 34-35 4 光子晶体LED 的制备 35-53 4.1 模板的制备及防粘 35-38 4.2 纳米压印制备光子晶体图案 38-43 4.3 图形转移 43-48 4.4 后续工艺 48 4.5 实验结果 48-51 4.6 本章小结 51-53 5 结论 53-54 致谢 54-55 参考文献 55-59 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 59
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体二极管 > 二极管:按结构和性能分 > 发光二极管
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