学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

MOCVD技术与GaN材料外延工艺

作　者: 陈凯辉
导　师: 刘冉；孙一军
学　校: 复旦大学
专　业: 集成电路工程
关键词: 发光二极管金属有机化学气相沉积多量子阱氮化镓外延
分类号: TN304.055
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
下　载: 176次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

发光二极管(LED)是一种电致发光器件,自上世纪60年代被发明以来,尤其是90年代以后得到了迅猛的发展。随着相关的新结构、新材料及新工艺的不断发展和更新,它的性能也得到了很多改善。在倡导节能减排的背景下,LED由于其节能、高效、寿命长的特点在越来越多的领域得到了广泛的应用,如照明、显示、城市景观等方面。由于外延工艺是制作发光二极管过程中极为重要的一步,因此本文主要阐述和讨论外延设备---金属有机化学气相沉积设备、发光二极管工作原理与相关因素、及其外延生长方法。金属有机化学气相沉积设备作为发光二极管产业链中的关键设备,其本身性能的优越与否直接关系到最终产品的性能。因此本文比较系统地介绍了金属有机化学气相沉积设备的主要结构,工作原理和过程及与工艺的相关因素。包括气体运输、反应过程、反应室结构、温度控制、压力控制、尾气处理及安全设施等。通过发光二极管工作原理的阐述,指出影响其发光效率的主要因素一载流子的复合率,并介绍了能改善其性能的多量子阱结构(MQW)。由于该结构对载流子具有明显的量子效应,能将电子和空穴限制在一定区域,因此它可以很显著地提高内量子效率。在上述基础上,介绍了外延层的一般生长方法和过程并得到了相关结果。由于氮化镓(GaN)基发光二极管外延片是白光发光二极管的核心技术,是半导体照明技术的源动力,因此本文以氮化镓材料为例展开介绍。由于氮化镓和常用的蓝宝石衬底材料的晶格失配度较大,为了解决这一问题,我们的工艺采用两部生长法。首先在500～600℃的低温生长一层薄的氮化镓作为缓冲层,然后将温度升至1050℃进行高温生长,从而得到完美的氮化镓外延层。

全文目录

摘要  3-4
英文摘要  4-6
引言  6-7
1 绪论  7-9
  1.1 LED的发展历程  7
  1.2 LED的应用及其广阔前景  7-9
2 外延设备  9-21
  2.1 MOCVD设备  9-19
  2.2 外延设备的发展趋势  19-21
3 LED基本理论  21-25
  3.1 LED基本工作原理  21-22
  3.2 复合  22-24
  3.3 多量子阱结构  24-25
4 GaN多量子阱材料MOCVD外延生长  25-40
  4.1 MOCVD外延生长工艺  25-34
  4.2 LED参数  34-35
  4.3 相关测试技术  35-38
  4.4 外延技术的发展趋势  38-40
5 总结  40-41
参考文献  41-44
致谢  44-45

MOCVD技术与GaN材料外延工艺

内容摘要

全文目录

相似论文