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太阳能电池材料Cu_2ZnSnS_4纳米晶的水热合成和表征
作 者: 程晨
导 师: 王春瑞
学 校: 东华大学
专 业: 等离子体物理
关键词: 纳米材料 太阳能 水热法 Cu2ZnSnS4 光电性能 丝网印刷
分类号: TB383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
四元化合物Cu2ZnSnS4是一种理想的太阳能电池吸收层材料,其禁带宽度与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度十分接近,具有大的吸收系数,另外元素来源丰富、污染小,从而成为太阳能电池吸收层的最佳候选材料。在过去20多年,多个研究组分别用各种方法如溶胶-凝胶、溅射沉积、喷雾热解、共沉积和软化学方法等方法成功制备出了Cu2ZnSnS4吸收层。并且光电转化率从1996年的0.66%提高至2010年的9.6%。本文旨在进一步发展和丰富水热合成技术并利用它制备Cu2ZnSnS4纳米晶,发展一种相对普适的合成路线。同时对合成的纳米结构进行了表征。具体工作如下:1. Cu2ZnSnS4(?)内米晶的制备。利用水热法以氯化亚铜(CuCl)、氯化锌(ZnCl2)、四氯化锡(SnCl4·5H2O)、硫脲为原料在200℃制备了Cu2ZnSnS4(?)内米晶。研究了反应时间和反应温度对产物的影响。2. Cu2ZnSnS4纳米材料结构表证。利用XRD、TEM、HRTEM和SAED对产物进行了表征。结果表明产物是直径为5-7nm多晶Cu2ZnSnS4颗粒。3. Cu2ZnSnS4(?)内米材料的光学特性。利用紫外-可见吸收光谱估算了产物的禁带宽度为1.7eV,大于相应体相和薄膜的禁带宽度(1.5eV)。Raman谱显示,相比体相和薄膜的Raman谱发生8cm-1红移。4.最后利用丝网印刷的方法初步制备出Cu2ZnSnS4薄膜。
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全文目录
摘要 5-7 ABSTRACT 7-11 1 绪论 11-15 2 背景知识及基本原理 15-33 2.1 引言 15-16 2.2 纳米材料简介 16-29 2.2.1 纳米材料的发展 16-17 2.2.2 纳米材料的特性 17-21 2.2.3 纳米材料的分类 21-22 2.2.4 纳米材料的性质 22-24 2.2.5 纳米材料的用途 24-26 2.2.6 纳米材料表征及性能研究的常用分析手段 26-27 2.2.7 纳米材料的制备方法 27-29 2.3 水热法简介 29-32 2.3.1 水热法及其反应机理 29-30 2.3.2 水热反应特点 30 2.3.3 水热反应的影响因素 30-32 2.4 本文的选题背景、研究内容及意义 32-33 3 水热条件下Cu_2ZnSnS_4纳米材料的制备 33-37 3.1 引言 33-35 3.1.1 Cu_2ZnSnS_4是纳米材料简介 33 3.1.2 Cu_2ZnSnS_4纳米材料研究现状 33-34 3.1.3 本文的研究内容及目的 34-35 3.2 实验部分 35-37 3.2.1 实验原料 35 3.2.2 实验过程 35-36 3.2.2.1 实验内容 35 3.2.2.2 实验步骤 35-36 3.2.3 样品测试与表征 36-37 4 实验结果与讨论 37-42 4.1 XRD衍射花样 37 4.2 TEM和HRTEM表征 37-38 4.3 紫外—可见吸收光谱 38-39 4.4 拉曼光谱 39-40 4.5 可能生长机理 40-42 5 丝网印刷制备Cu_2ZnSnS_4纳米薄膜 42-49 5.1 丝网印刷概述 42-46 5.1.1 丝网印刷的原理 42-43 5.1.2 丝网印刷法的特点 43-44 5.1.3 丝网印刷法的应用 44 5.1.4 手动丝网印刷的印刷 44-46 5.2 丝网印刷法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜 46-48 5.2.1 Cu_2ZnSnS_4印刷浆料的制备 46 5.2.2 衬底的处理 46 5.2.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜的印刷 46-47 5.2.4 影响薄膜质量的一些因素 47-48 5.3 Cu_2ZnSnS_4薄膜的表面特征 48-49 6 结论与展望 49-51 6.1 本论文的创新之处 49 6.2 有待进一步研究的问题 49-51 参考文献 51-58 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 58-59 致谢 59
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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