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适用于MRAM的集成电路测试方法研究
作 者: 齐娜
导 师: 于云华;时海涛
学 校: 中国石油大学
专 业: 信息与通信工程
关键词: MRAM 存储器测试 March算法 内建自测试
分类号: TN407
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
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内容摘要
随着电子设备在商业、工业及军事等领域的广泛使用,集成电路技术得到前所未有的发展。测试是集成电路产品生产过程中不可或缺的一部分,它能够保证产品设计、制造的正确性以及可靠性。电路设计方法的日益复杂化和半导体制造工艺技术的不断进步,使集成电路本身面临着更高的缺陷密度,测试成本在总成本中所占比例不断增大。为了降低产品总成本,降低测试成本首当其冲,因此,提高测试技术成为关键。MRAM是一种具有众多优良特性的新型磁性随机存储器,它被认为是电子设备中的理想存储器。本论文以MRAM作为研究对象,研究能够满足测试指标的适用于MRAM的集成电路测试方法。本文的主要研究工作如下:(1)根据MRAM的结构特点,建立了MRAM的故障模型,对当前提出的RP15N算法进行改进,提出了RP17N算法,并将该算法扩展到了字定向的MRAM,提出了RP17NW算法。(2)采用Top-down的方法,建立了MRAM的总体测试电路结构,并对其中的每一个子模块的电路具体实现进行了详细设计。(3)分别用Mentor公司的ModelSim SE 6.2e和Synplicity公司的Synplify Pro 8.1对测试电路进行了功能仿真和逻辑综合,并在Xilinx ISE 8.1i下完成了时序仿真。仿真和综合结果表明,本文所提出的测试算法和设计的MRAM BIST测试电路结构,在满足各种测试指标的前提下,能够完成MRAM测试,实现了故障覆盖率、面积、功耗与速率的折衷。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-6 目录 6-8 第1章 前言 8-13 1.1 本课题的研究背景、现状和意义 8-11 1.1.1 集成电路及MRAM 的发展背景 8-9 1.1.2 集成电路测试方法的研究背景 9-10 1.1.3 MRAM 测试的研究现状及意义 10-11 1.2 本文的研究目标和论文内容安排 11-13 第2章 MRAM存储器测试的设计方案 13-24 2.1 MRAM 的概述 13-15 2.2 可测试性设计技术 15-16 2.3 内建自测试方法 16-19 2.4 MRAM 整体测试方案及其比较 19-21 2.5 MRAM 测试系统设计流程 21-22 2.6 本章小结 22-24 第3章 MRAM测试算法的研究 24-37 3.1 MRAM 的故障模型 24-28 3.2 MRAM 的测试算法研究 28-36 3.2.1 March 算法概述 28-29 3.2.2 MRAM 测试算法的总体描述 29-32 3.2.3 MRAM 算法的实现步骤及分析 32-34 3.2.4 字定向的的MRAM 测试算法 34-36 3.3 本章小结 36-37 第4章 MRAM 内建自测试(BIST)电路结构设计 37-48 4.1 MRAM BIST 电路的总体结构 37-38 4.2 控制模块的设计 38-40 4.3 算法有限状态机模块的设计 40-41 4.4 地址序列模块的设计 41-45 4.5 测试向量生成部分 45-46 4.6 多路选择部分 46-47 4.7 响应比较部分 47 4.8 本章小结 47-48 第5章 MRAM BIST电路仿真结果及分析 48-56 5.1 控制模块的仿真及结果分析 48-49 5.2 算法FSM 模块部分 49-50 5.3 地址生成模块的仿真结果及分析 50-52 5.4 测试向量生成模块部分 52-53 5.5 多路选择模块部分 53-54 5.6 响应比较模块的仿真结果及分析 54 5.7 总体模块的仿真结果及分析 54-55 5.8 本章小结 55-56 第6章 MRAM BIST电路的综合结果及分析 56-68 6.1 算法状态机模块的综合结果及分析 58-59 6.2 控制模块部分综合结果及分析 59-60 6.3 地址生成模块的综合结果及分析 60-63 6.4 测试向量生成模块的综合结果及分析 63-64 6.5 多路选择模块的综合结果及分析 64 6.6 响应比较模块的综合结果及分析 64-65 6.7 总体模块的综合结果及分析 65-67 6.8 本章小结 67-68 总结与展望 68-69 参考文献 69-74 攻读硕士学位期间取得的学术成果 74-75 致谢 75
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 测试和检验
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