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Zn:Er:LiNbO_3晶体的生长及其上转换发光性能的研究
作 者: 王佳
导 师: 王锐
学 校: 哈尔滨工业大学
专 业: 化学工程与技术
关键词: 铌酸锂晶体 铒掺杂 缺陷结构 上转换 抗光损伤
分类号: O734
类 型: 硕士论文
年 份: 2008年
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内容摘要
本研究采用提拉法生长了无宏观缺陷、光学均匀性较好的具有不同掺Zn(3、6和7mol%)及掺Er(1.5和3mol%)量组合的Zn:Er:LiNbO3单晶。研究了最佳生长工艺参数。测试了Zn:Er:LiNbO3晶体的紫外-可见吸收光谱,红外透射光谱,上转换稳态发射谱,上转换时间分辨谱,上转换功率曲线及抗光致散射能力。通过紫外-可见吸收光谱和红外吸收光谱的测试研究了Zn:Er:LiNbO3晶体的缺陷结构及Zn2+和Er 3+的占位情况,确定了Zn 2+在Zn:Er:LiNbO3晶体中的阈值浓度。研究结果表明,Zn2+在Zn:Er:LiNbO3晶体中的阈值浓度为6mol%。当掺杂浓度小于阈值浓度时,Zn2+是以取代反位铌缺陷的形式进入晶体的,当掺杂浓度大于阈值浓度时,Zn2+开始进入正常晶格的Li位和Nb位,形成Zn Li + -Zn Nb 3-缺陷基团。而Er 3+则是以取代正常格位的Li +和Nb5+的方式进入晶体,形成铒离子团位束Er Li 2+ -Er Nb2-。研究了Zn 2+和Er 3+的掺杂量对于Zn:Er:LiNbO3晶体绿光波段上转换性能的影响。研究表明,Zn2+和Er 3+掺杂浓度的提高,都使得Zn:Er:LiNbO3的上转换发光强度得到增强。通过对绿光上转换功率曲线的分析,首次发现当Zn2+的掺杂浓度达到阈值浓度时,绿光上转换机制由双光子过程转换为光子雪崩过程。研究了Zn:Er:LiNbO3晶体的抗光损伤性能,分析了Zn2+掺杂浓度对晶体抗光损伤性能的影响,结果表明Zn2+掺杂浓度的提高使晶体抗光损伤性能增强,当Zn的掺杂浓度达到阈值浓度时,晶体的抗光损伤能力提高四倍以上,这对于晶体的上转换发光是有利的。研究表明,Zn(7mol%):Er(3mol%):LiNbO3是本系列晶体中上转换发光性能最为优良的。
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全文目录
摘要 3-4 Abstract 4-8 第1章 绪论 8-21 1.1 课题背景及研究意义 8 1.2 稀土发光材料简介 8-9 1.3 上转换发光简介 9-14 1.3.1 Stokes发光 9-10 1.3.2 上转换发光 10-13 1.3.3 提高上转换发光效率的几种途径 13-14 1.4 基质材料铌酸锂单晶简介 14-19 1.4.1 LiNbO_3的结构和主要性质 15-16 1.4.2 同成分铌酸锂的本征缺陷结构模型 16-17 1.4.3 铌酸锂晶体中的非本征缺陷 17-19 1.5 国内外研究现状 19-20 1.6 课题研究主要内容 20-21 第2章 实验材料及实验方法 21-31 2.1 掺杂元素的选择 21 2.2 晶体的生长 21-26 2.2.1 原料的配比 21-22 2.2.2 原料预烧结 22-23 2.2.3 晶体生长设备装置 23 2.2.4 工艺参数的选择 23-25 2.2.5 晶体生长过程 25-26 2.3 晶体的加工 26-28 2.3.1 晶体的极化 26-27 2.3.2 晶片加工 27-28 2.4 性能测试 28-31 2.4.1 紫外-吸收光谱测试 28 2.4.2 红外光谱测试 28-29 2.4.3 绿光上转换性能测试 29-30 2.4.4 抗光损伤能力测试 30-31 第3章 Zn:Er:LiNbO_3晶体的缺陷结构分析 31-38 3.1 紫外光谱分析 31-34 3.1.1 紫外吸收边移动基本原理 31-33 3.1.2 紫外光谱测试结果及分析 33-34 3.2 红外光谱分析 34-37 3.2.1 OH~-吸收峰移动基本原理 34-35 3.2.2 红外光谱测试结果及分析 35-37 3.3 本章小结 37-38 第4章 Zn:Er:LiNbO_3晶体的光学性能 38-49 4.1 Zn:Er:LiNbO_3晶体的上转换发射性能 38-45 4.1.1 绿光上转换发光基本原理 38-39 4.1.2 绿光上转换稳态发射谱 39-41 4.1.3 绿光上转换功率曲线 41-43 4.1.4 绿光上转换时间分辨谱 43-45 4.2 Zn:Er:LiNbO_3晶体的抗光损伤性能 45-48 4.2.1 Zn:Er:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力测试 45-47 4.2.2 抗光损伤能力增强原因分析 47-48 4.3 本章小结 48-49 结论 49-50 参考文献 50-54 攻读学位期间发表的学术论文 54-56 致谢 56
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中图分类: > 数理科学和化学 > 晶体学 > 晶体物理 > 晶体的光学性质
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