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利用衬底转移法制备柔性有机电致发光器件(FOLED)的初步研究

作 者: 臧春亮
导 师: 段羽
学 校: 吉林大学
专 业: 集成电路工程
关键词: FOLED 衬底转移 薄膜封装 ALD AFM
分类号: TN383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
下 载: 52次
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内容摘要


本文提出一种新型的柔性有机电致发光器件(Flexible Organic light-emittingdevice,FOLED)的制备方法,即OLED器件生长在应用衬底转移方法制备出来的集成有金属电极的柔性衬底上。具体过程是:首先,将金属电极生长在洁净的玻璃衬底上,然后通过旋涂(Spin-Coating)的方法将光交联聚合物均匀地旋涂在带有金属电极的玻璃衬底之上,再将旋涂过后的衬底放在紫外固化灯下对光交联聚合物进行固化,最后将固化后的光交联聚合物与刚性玻璃衬底进行分离,即可实现金属电极转移到柔性光交联聚合物衬底之上。这种方法制备出来的柔性衬底,其电极具有平整度较高的特性,利于载流子的注入,提高OLED器件的效率。对OLED进行薄膜封装提高OLED器件在空气中的稳定性也是本论文研究的主要内容。我们首次提出利用衬底转移的方法,同时将蒸镀的器件电极和利用原子层沉积技术沉积的薄膜封装层一同转移到光交联聚合物形成的衬底薄膜上。这种方法最大限度的利用了光交联聚合物对金属比玻璃对金属有更高粘合性的特点,得到了结构稳定、附着性强的金属电极,并针对光交联聚合物衬底阻隔性能差的特点,实现了对衬底具有较好封装效果的一次封装,再使用钙测试的方法对封装层的水阻隔性能定量分析也证实此封装层具有较好的封装效果,并且其制备过程有避免对OLED器件的高温和辐射等破坏的作用。最后,我们使用衬底转移技术制作的柔性带有金属电极的衬底,制作出了一组FOLED,器件的具体结构是:NOA63/Ag(80nm)/MoOx(5nm)/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al(5nm)/Ag(15nm)。并将用柔性衬底制备出的器件和刚性衬底上做的OLED进行了比较,发现柔性器件和刚性器件性能十分接近。

全文目录


提要  4-7
第一章 绪论  7-21
  §1.1 集成电路概述  7-8
    §1.1.1 集成电路(IC)产业现状  7
    §1.1.2 集成电路(IC)与终端显示  7-8
  §1.2 有机电致发光器件的概述  8-14
    §1.2.1 有机电致发光器件(OLED)的发展历史  9-10
    §1.2.2 有机电致发光器件的产业化现状  10-14
    §1.2.3 有机电致发光器件(OLED)失效机理  14
  §1.3 柔性有机电致发光器件(FOLED)  14-19
    §1.3.1 柔性有机电致发光器件(FOLED)的优点  15
    §1.3.2 柔性有机电致发光器件(FOLED)的发展  15-18
    §1.3.3 PET 柔性有机电致发光器件(FOLED)  18-19
  §1.4 本论文主要工作及研究意义  19-21
第二章 对刚性衬底有机电致发光器件(OLED)的薄膜封装  21-29
  §2.1 传统的封装方法介绍  21
  §2.2 新型薄膜封装方法  21-27
    §2.2.1 电子束热蒸镀(E-beam)镀膜技术  22-24
    §2.2.2 原子层沉积技术(ALD)技术及其原理  24-27
  §2.3 封装薄膜的性能分析  27-28
  §2.4 小结  28-29
第三章 新型柔性有机电致发光器件(FOLED)的衬底  29-38
  §3.1 新型柔性有机电致发光器件(FOLED)的衬底制备  29-36
    §3.1.1 材料的选择  30-33
    §3.1.2 所需设备的简单介绍  33-35
    §3.1.3 制作流程  35-36
  §3.2 带有封装层的有机电致发光器件的衬底转移  36-37
  §3.3 小结  37-38
第四章 新型柔性有机电致发光器件(FOLED)的电极形貌及封装层性能  38-45
  §4.1 新型柔性有机电子发光器件(FOLED)的电极形貌  38-41
    §4.1.1 原子力显微镜下的三维电极形貌  38-39
    §4.1.2 原子力显微镜下的二维电极形貌  39-41
  §4.2 钙测试的方法对封装层性能的探究  41-44
    §4.2.1 钙测试的方法  42-43
    §4.2.2 有封装层与无封装的钙测试水氧透过性  43-44
  §4.3 小结  44-45
第五章 不同衬底上的有机电致发光器件  45-51
  §5.1 不同衬底上的有机电致发光器件的结构  45-46
  §5.2 不同衬底上的有机电致发光器件性能比较  46-49
  §5.3 结论  49-51
参考文献  51-57
摘要  57-60
Abstract  60-63
致谢  63

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
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