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镍掺杂BST薄膜的制备及性能研究
作 者: 钱林勤
导 师: 褚君浩; 杨平雄
学 校: 华东师范大学
专 业: 物理电子学
关键词: 钛酸锶钡薄膜 溶胶-凝胶 镍掺杂 铁电 介电 禁带宽度
分类号: TN304.055
类 型: 硕士论文
年 份: 2012年
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内容摘要
钛酸锶钡是钛酸钡(BaTiO3)和钛酸锶(SrTiO3)的连续固溶体,属于ABO3型钙钛矿结构,其具有高介电常数、低介电损耗、低漏电流密度、居里温度可调,以及显著的热释电效应和较低的消光系数等特点,在动态随机存储器、热释电红外探测器、微波调谐器、移相器、滤波器等方面有着广泛的应用。随着大规模集成电路的快速发展,薄膜材料成为人们研究的热点,如何制备出结晶度良好,电学及光学性能优越的钛酸锶钡薄膜材料,也成为热点之一。本文采用溶胶-凝胶法,制备纯相Ba0.6Sr0.4Ti03(BST)薄膜,并进行不同含量镍掺杂,研究镍掺杂对BST薄膜各种性能的影响,具体研究成果如下:(1)通过多次实验,分别在LNO衬底、Si衬底和石英衬底上成功生长出了质量优良的纯BST及不同含量镍掺杂的BST薄膜。(2)使用X射线衍射(XRD),分别研究了不同衬底上、不同乙酰丙酮加入量,以及不同含量镍掺杂BST薄膜的微结构;使用扫描电子显微镜(SEM)研究了LNO衬底上BST薄膜的表面形貌和截面情况;使用原子力显微镜(AFM)研究了LNO衬底上,镍掺杂对BST薄膜的三维表面形貌的影响。结果表明,LNO衬底上,10%镍掺杂的BST薄膜的结晶质量最好,表面平整,晶粒略有增大。(3)使用电学测试仪器,研究了镍掺杂对BST薄膜铁电及介电性能的影响。结果显示,镍的掺入能有效改善BST薄膜的铁电性能,当掺镍量为10%时,电滞回线曲度明显且出现饱和,外加电压为20V时,剩余极化强度约为2.8μC/cm2,矫顽电场约为16kV/cm;镍的掺入使介电常数增大,介电损耗减小,有效改善了BST薄膜的介电性能。(4)进行拉曼光谱测试,进一步表明镍的掺入对BST薄膜的微观结构产生了一定程度的优化影响。椭圆偏振光谱测试结果表明,镍的掺入会减小BST薄膜的折射率。透射光谱显示,薄膜的透明度很高,数据处理得到各BST薄膜的禁带宽度在4eV附近。
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全文目录
摘要 6-7 Abstract 7-11 第一章 绪论 11-21 1.1 铁电材料的介绍 11-14 1.1.1 铁电性的发现 11-12 1.1.2 铁电材料的结构及性质 12-13 1.1.3 铁电材料的研究进展及应用 13-14 1.2 钛酸锶钡材料的介绍 14-18 1.2.1 钛酸锶钡的晶体结构 15-16 1.2.2 钛酸锶钡薄膜的性能和应用 16 1.2.3 钛酸锶钡薄膜的制备方法和研究进展 16-18 1.3 本论文的工作 18-19 参考文献 19-21 第二章 镍掺杂BST薄膜的Sol-Gel法生长 21-31 2.1 溶液的配制 22-26 2.1.1 配液前的计算准备 23-24 2.1.2 溶液配制过程 24-25 2.1.3 溶液配制注意事项 25-26 2.2 薄膜的旋涂 26-28 2.3 快速热退火 28-29 2.4 本章小结 29-30 参考文献 30-31 第三章 镍掺杂BST薄膜的晶格结构和表面形貌 31-42 3.1 BST薄膜晶格结构的研究 31-37 3.1.1 不同衬底上的BST薄膜晶格结构的研究 32-33 3.1.2 前躯体溶液中乙酰丙酮剂量的不同 33-34 3.1.3 不同掺镍量的BST薄膜 34-37 3.2 BST薄膜的SEM分析 37-38 3.3 镍掺杂BST薄膜的AFM表面形貌分析 38-40 3.4 本章小结 40-41 参考文献 41-42 第四章 镍掺杂对BST薄膜电学性能的影响 42-51 4.1 镍掺杂对BST薄膜铁电性能的影响 43-47 4.2 镍掺杂对BST薄膜介电性能的影响 47-49 4.3 本章小结 49-50 参考文献 50-51 第五章 镍掺杂对BST薄膜光学性能的影响 51-59 5.1 镍掺杂BST薄膜的拉曼光谱分析 51-52 5.2 镍掺杂BST薄膜的椭圆偏振光谱分析 52-54 5.3 镍掺杂BST薄膜的透射光谱分析 54-57 5.4 本章小结 57-58 参考文献 58-59 第六章 结论与展望 59-61 攻读学位期间发表的学术 61-62 致谢 62
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术
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