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纳米铜及氧化(亚)铜薄膜的微观结构及性能
作 者: 张会平
导 师: 江中浩
学 校: 吉林大学
专 业: 材料学
关键词: 化学镀 纳米铜膜 电阻率 氧化亚铜 氧化铜 纳米线 电沉积 禁带宽度
分类号: TB383.1
类 型: 博士论文
年 份: 2007年
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内容摘要
通过向化学镀铜溶液中添加十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在玻璃表面制备了纳米铜膜,微观结构分析表明铜膜具有明显的(111)织构和较低的表面粗糙度,电阻率随膜厚的增加而下降。利用热氧化法对膜厚为100nm的铜膜进行氧化,氧化温度和时间对薄膜的组成和表面形貌有很明显的影响,特别是在300°C氧化8h后会形成直径10-15nm,长度200-300nm的CuO纳米线。纳米线生长工艺研究表明,适宜形成纳米线的温度范围为300oC-400oC;在350oC时,随氧化时间的延长,纳米线逐渐减少;而在400oC时,几乎没有形成纳米线;且膜厚的增加有利于纳米线的形成;纳米线的形成符合VS机理。通过向电解液中添加不同含量的十六烷三甲基氯化铵(CTAC),在ITO基体上利用恒电位电沉积法制备了不同表面形貌的Cu2O薄膜。结果表明CTAC对于Cu2O薄膜的晶粒尺寸及表面形貌有很明显的影响。
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全文目录
提要 5-10 第一章 绪论 10-27 1.1 引言 10-11 1.2 纳米材料概述 11-13 1.2.1 纳米材料分类 11-12 1.2.2 纳米材料的应用 12-13 1.3 纳米薄膜材料制备技术 13-21 1.3.1 溅射法 14 1.3.2 化学气相沉积法 14-15 1.3.3 溶胶-凝胶法 15-16 1.3.4 电化学沉积法 16-18 1.3.5 化学镀法 18-21 1.4 纳米线及其制备技术 21-25 1.4.1 模板法 22-23 1.4.2 激光烧蚀法 23-24 1.4.3 直接氧化法 24-25 1.5 选题意义及研究内容 25-27 第二章 实验工艺及研究方法 27-35 2.1 化学镀铜工艺 27-31 2.1.1 基体材料与实验设备 27 2.1.2 镀液成分及作用 27-28 2.1.3 化学镀铜的工艺流程 28-31 2.2 铜氧化物及纳米线制备工艺 31 2.3 恒电位电化学沉积氧化亚铜工艺 31-32 2.3.1 基体材料与实验设备 31 2.3.2 镀液成分与含量 31-32 2.3.3 电沉积工艺流程 32 2.4 薄膜结构、形态及性能测定 32-35 2.4.1 结构及表面形貌观察 32-34 2.4.2 铜膜厚度、结合强度、电阻的测量 34 2.4.3 铜膜透光率的测量 34 2.4.4 红外光谱的测量 34-35 第三章 玻璃表面化学镀纳米铜膜的微观结构及性能研究 35-60 3.1 前言 35-36 3.2 XRD 分析 36-39 3.3 TEM 分析 39 3.4 FESEM 分析 39-42 3.5 AFM 分析 42-47 3.6 铜膜沉积生长机理 47-49 3.7 SDBS 对铜膜表面形貌的影响 49-51 3.8 铜膜-基体附着强度 51 3.9 铜膜电阻率分析 51-58 3.9.1 铜膜电阻率 51-54 3.9.2 电阻率理论模型 54-56 3.9.3 化学镀纳米铜膜电阻率分析 56-58 3.10 本章小结 58-60 第四章 热氧化法制备铜氧化物薄膜的结构和光学性能 60-72 4.1 前言 60-61 4.2 氧化温度的影响 61-64 4.3 氧化时间的影响 64-67 4.4 铜氧化物薄膜的光学性能 67-71 4.5 本章小结 71-72 第五章 热氧化法制备氧化铜纳米线 72-84 5.1 前言 72-73 5.2 氧化温度的影响 73-74 5.3 氧化时间的影响 74-77 5.4 膜厚的影响 77-81 5.5 纳米线的生长机理 81 5.6 光学性能 81-82 5.7 本章小结 82-84 第六章 ITO 表面电沉积微纳米结构氧化亚铜的微观结构及性能 84-103 6.1 前言 84-86 6.2 电化学分析 86-90 6.3 X-射线衍射分析 90-92 6.4 场发射扫描电子显微镜分析 92-96 6.5 X 射线光电子能谱分析 96-97 6.6 光学性能 97-101 6.6.1 透光率 97-100 6.6.2 禁带宽度 100-101 6.7 本章小结 101-103 第七章 结论 103-106 参考文献 106-130 攻博期间发表的学术论文 130-131 致谢 131-132 摘要 132-136 ABSTRACT 136-140
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工程材料学 > 特种结构材料
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