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波长1.3μm高速光电探测器研究

作　者: 陶启林
导　师: 刘永智
学　校: 电子科技大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 光电探测器长波长 PIN光电二极管响应度光耦合技术技术性能指标国际先进水平封装结构 3dB带宽 GaInAs
分类号: TN36
类　型: 硕士论文
年　份: 2000年
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内容摘要

综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度性能，优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数，解决了长波长高速光电探测器制作的关键技术如：高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长；有源区的浅结扩散技术；为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术；小光敏面的光耦合技术等，采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz，响应度为0.7A/W，暗电流小于5nA，其技术性能指标达到国际先进水平。

全文目录

第一章概论  6-10
  1．1 引言  6-8
  1．2 本论文研究的目的意义  8
  1．3 内容简介  8-10
第二章器件结构原理  10-14
  2．1 工作原理  10-12
  2．2 芯片结构  12-13
  2．3 封装结构  13-14
第三章理论分析  14-21
  3．1 光子吸收  14-15
  3．2 光谱响应  15-16
  3．3 调制频率响应  16-17
  3．4 响应度和量子效率  17-18
  3．5 噪声特性  18-21
第四章参数计算与器件结构设计  21-29
  4．1 光电二极管设计的一般考虑  21
  4．2 探测器结构优化  21-23
  4．3 光耦合  23-25
  4．4 微波封装  25-27
  4．5 芯片结构设计  27
  4．6 表面钝化膜设计  27-29
第五章工艺设计  29-39
  5．1 外延生长  29-32
  5．2 扩散  32-35
  5．3 光刻  35-36
  5．4 集成微透镜  36-38
  5．5 烧结压焊工艺  38-39
第六章实验及结论  39-45
  6．1 器件结构与制作  39-40
  6．2 选用的关键设备、仪器  40
  6．3 测试  40-42
  6．4 频响曲线  42-43
  6．5 国内外水平对比  43
  6．6 应用情况  43
  6．7 讨论  43-45
结束语  45-46
致谢  46-47
参考文献  47

波长1.3μm高速光电探测器研究

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