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GaN基垂直结构LED电镀铜衬底的研究

作　者: 李明刚
导　师: 陈亚孚；张国义；陈志忠
学　校: 长春理工大学
专　业: 凝聚态物理
关键词: 垂直结构LED GaN 电镀铜衬底激光剥离
分类号: TN312.8
类　型: 硕士论文
年　份: 2008年
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内容摘要

GaN基垂直结构LED具有耗电量小、寿命长等优点,在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明中被广泛应用。GaN基垂直结构LED是半导体器件研究热点。本文主要以GaN基垂直结构LED为例,研究其铜衬底的电镀工艺、机制、特性及其对于器件性能的影响。工作内容主要包括:1)通过对电镀铜机理的探讨,优化出GaN基垂直结构LED铜衬底的酸性光亮电镀铜溶液配方;2)自行设计酸性光亮电镀铜设备;3)在工艺进行过程中逐渐摸索出趋于完备的GaN基垂直结构LED铜衬底电镀工艺:4)对镀铜层的应力、硬度及可靠性进行论述。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章概论  7-13
  §1.1 前言  7-9
  §1.2 半导体照明应用概述  9-10
  §1.3 GaN基LED的发展简史  10-11
  §1.4 GaN基LED的特点  11-12
  §1.5 本论文的工作和论文安排  12-13
第二章 GaN基垂直结构LED制备工艺  13-23
  §2.1 GaN基LED的基本结构  13-15
  §2.2 芯片制备工艺  15-23
第三章酸性光亮镀铜  23-34
  §3.1 电镀铜的种类及特点  23-24
  §3.2 酸性光亮镀铜  24-30
  §3.3 电镀铜机理  30-33
  §3.4 小结  33-34
第四章 GaN基垂直结构LED铜衬底研究  34-43
  §4.1 铜衬底电镀工艺步骤  34-39
  §4.2 技术难点  39-41
  §4.3 电镀铜衬底的特性分析研究  41-43
第五章电镀铜衬底的性质分析  43-50
  §5.1 镀铜层的内应力  43-47
  §5.2 镀铜层的硬度分析  47-48
  §5.3 GaN基垂直结构LED芯片与铜衬底的可靠性研究  48-49
  §5.4 小结  49-50
第六章结论  50-51
致谢  51-52
参考文献  52-54

GaN基垂直结构LED电镀铜衬底的研究

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