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基于非晶包裹丝巨磁阻抗效应的高精度磁敏传感器研究

作　者: 单晓锋
导　师: 杨建红
学　校: 兰州大学
专　业: 微电子与固体电子学
关键词: 巨磁阻抗效应非晶玻璃包裹丝磁敏传感器电流检测
分类号: TP212.13
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
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内容摘要

磁场测量技术已经在工业、农业、国防,以及生物、宇航等各个部门获得重要应用,并且随着科技的进步,对磁测量提出了更高的要求。传统的磁场传感器有霍尔(Hell)传感器,磁通门传感器等,这些传感器都有一定的缺陷,如电路复杂,精度低,使用条件苛刻等。随着巨磁阻抗效应(GMI)的深入研究,发现了更多具有灵敏度高、尺寸小、响应快等优点的材料,这为研制新的磁敏传感器提供了条件。本文从非晶丝巨磁阻抗效应入手,详细分析了非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)原理及影响因素,阐述了基于非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的传感器工作原理,并制作了基于非晶丝巨磁阻抗效应的微型磁测传感器探头；设计了探头驱动电路、信号检测与处理电路；并以此为基础设计了阵列式GMI电流传感器。通过实验测试数据分析了基于非晶丝巨磁阻抗效应微型磁传感器的各种特性。结果表明,量程在正负±350mGs量程范围内其线性相关系数达到了0.9999,灵敏度达到5mV/mGs,分辨率达到了109T量级。进一步分析表明,基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁敏感电流传感器技术上是可行的,需在磁屏蔽、处理软件等方面进一步改进和完善。

基于非晶包裹丝巨磁阻抗效应的高精度磁敏传感器研究

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