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基于SOI衬底的共平面波导射频损耗特性研究
作 者: 李曦
导 师: 石艳玲
学 校: 华东师范大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 共平面波导 损耗 SOI 射频 HFSS
分类号: TN252
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
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内容摘要
随着射频电路工作频率和集成度的不断提高,常规CMOS制造中使用的低阻硅衬底具有较大的损耗和串扰,较难实现射频性能优异的器件与电路。而SOI(Silicon on Insulator,绝缘层上硅)技术以其独特的结构,克服传统体硅材料的不足,具有低功耗、低串扰和低寄生电容等良好的高频特性。为了实现性能良好的射频片上系统,近年来SOI衬底的高频特性及基于SOI衬底的可集成、低损耗、低寄生效应的无源器件研究越来越多。共平面波导广泛用于单片微波集成电路的互联和匹配网络,因而基于SOI衬底的低损耗共平面波导研究非常重要。本文在广泛调研的基础上,应用电磁场理论和三维电磁场仿真软件HFSS对基于SOI的CPW(共平面波导)传输特性进行了大量仿真和分析,结果表明SOI衬底参数变化对其上的CPW损耗特性有显著影响:表层硅电阻率增大、底层硅电阻率增大、SiO2埋层厚度增大,传输损耗将减小;当表层硅为低阻时,其厚度增加使传输损耗增大;而当表层硅电阻率较高时,其厚度增加将使得损耗变小。在较清晰地掌握了SOI众多结构参数对其损耗性能影响的基础上,本文设计并在几种不同衬底参数SOI和高阻硅衬底上实现了特性阻抗为50Ω的CPW。测试分析表明0~40GHz频率范围内,基于SOI的CPW具有良好的传输特性,在上述频率范围内衰减较缓慢。以信号线宽44μm、间距30μm的CPW为例,40GHz时它在B型SOI上的损耗为-3.31dB,可以与高阻硅上的传输特性相比拟。为了拓展共平面波导在射频电路中的应用,本文基于上述SOI衬底上共平面波导的设计与实现,结合滤波器设计理论,设计并实现了不同SOI衬底及高阻硅衬底上的32GHz共平面波导型带通滤波器和25GHz共平面波导带阻滤波器。测试结果表明,性能最好的带通滤波器在中心频率31.6GHz处衰减为-4.23dB,带阻滤波器在中心频率25.8GHz处损耗为-15.3dB,它们在SOI衬底上能够完成相应的滤波特性,与高阻硅衬底上的滤波器特性相当。结合与CMOS技术兼容的硅基MEMS技术,本文提出并设计实现了基于SOI衬底的带V型槽的MEMS共平面波导,与体硅SOI共平面波导相比,在去除了信号线和地线之间SOI表层硅后,传输损耗明显改善,实验获得的MEMS共平面波导样品在四种具有不同衬底参数SOI衬底上损耗均减小了约50%。论文从传输理论出发,对不同介质层刻蚀结构的共平面波导模型进行分析,理论上获得的传输损耗改变趋势与实际测试一致。
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全文目录
摘要 6-7 ABSTRACT 7-9 第一章 绪论 9-17 1.1 研究背景 9-10 1.2 硅集成电路技术的发展与瓶颈 10-12 1.3 SOI技术 12-16 1.4 本文的研究内容及意义 16-17 第二章 传输线理论与实例 17-30 2.1 微波传输线的种类及应用 17-18 2.2 微波传输线特性参数分析 18-21 2.3 双端口网络与S参数 21-23 2.4 共平面波导理论 23-26 2.5 不同结构和衬底的共平面波导 26-30 第三章 SOI衬底参数对传输损耗的影响研究 30-44 3.1 共平面波导的设计与仿真 30-35 3.2 SOI衬底上共平面波导制备流程 35-37 3.3 共平面波导的高频在片测试 37-39 3.4 SOI衬底参数对传输特性的影响分析 39-43 3.5 小结 43-44 第四章 基于SOI的带通和带阻型共平面波导滤波器设计与实现 44-53 4.1 32GHz双端耦合共平面波导带通滤波器的设计 44-46 4.2 25GHz共平面波导带阻滤波器的设计 46-48 4.3 滤波器的制备流程 48-49 4.4 基于SOI的带通型共平面波导滤波器 49-51 4.5 基于SOI的带阻型共平面波导滤波器 51-52 4.6 小结 52-53 第五章 基于SOI的MEMS共平面波导设计与实现 53-65 5.1 基于SOI的低损耗MEMS共平面波导的设计 53-55 5.2 基于SOI的MEMS共平面波导的制备 55-57 5.3 基于SOI的MEMS共平面波导测试结果与分析 57-60 5.4 不同介质层结构对传输特性的影响 60-64 5.5 小结 64-65 第六章 结论与展望 65-67 一、结论 65-66 二、展望 66-67 参考文献 67-71 致谢 71-72 在读期间发表论文 72
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 波导光学与集成光学 > 光波导
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