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应用于低功耗技术的标准单元库
作 者: 王瑾瑜
导 师: 李文宏
学 校: 复旦大学
专 业: 集成电路工程
关键词: 低功耗设计 标准单元库 电平转换单元 数据保存/恢复触发器 门控时钟 多电源电压技术
分类号: TN47
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
下 载: 194次
引 用: 1次
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内容摘要
超大规模集成电路设计在过去的20年历经多次变革,如今,新的挑战—低功耗离我们渐行渐近。世界上最先进半导体厂商已将45nm产品达到量产规模,特征尺寸的缩小对设计工程师而言,芯片面积更小,频率更高,但随之而来的却是功耗的牺牲。最明显的就是漏电功耗的惊人增大。180nm或之前的工艺,漏电功耗在整个功耗中所占的比例极其微小,但不幸的是在130nm之后随着阈值电压的减小,漏电功耗指数级地上升。65nm工艺,漏电功耗甚至和动态功耗比肩。以往单纯追求高速的设计理念将不合时宜,低功耗将是今后IC设计的主流。本文旨在研究支持低功耗技术的标准单元库。首先,回顾了电路功耗的基本概念,构成,分类以及降低功耗的主体思想。并且介绍了主流低功耗技术。在低功耗技术中,标准单元库至关重要,在提出了本文论题“如何设计支持功耗技术的标准单元库”的问题后,引入了构成低功耗标准单元库的主要单元电路(Power Gating/Isolation/Level Shift/Retention Flip Flop/Clock Gating)。接着本文从标准单元库设计概念入手,讨论了标准单元库设计影响因素以及标准单元库设计流程。随后在理论上研究了以上单元电路,并重点就较为复杂的Level Shift/Retention Flip Flop/Clock Gating电路进行EDA电路设计并通过HSPICE仿真进行功能和时序验证。
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全文目录
摘要 3-4 Abstract 4-5 引言 5-6 第一章 低功耗设计简介 6-17 第一节 功耗组成 6-13 第二节 主流低功耗设计概述 13-16 第三节 功耗小结 16-17 第二章 应用于低功耗技术标准单元库综述 17-21 第一节 标准单元库设计概览 17-18 第二节 低应用于低功耗技术标准单元库设计流程 18-21 第三章 Power Gating/Isolation/Level Shift 21-28 第一节 基础讨论 21-24 第二节 电路设计 24-25 第三节 仿真分析 25-26 第四节 小结 26-28 第四章 Clock Gating 28-33 第一节 基础讨论 28-29 第二节 电路设计 29-31 第三节 仿真分析 31-32 第四节 小结 32-33 第五章 Retention触发器 33-48 第一节 基础讨论 33-39 第二节 电路设计 39-43 第三节 仿真分析 43-47 第四节 小结 47-48 第六章 总结与展望 48-50 参考文献 50-51 致谢 51-52
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 大规模集成电路、超大规模集成电路
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