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低噪声LTE发射机中带有注入锁定分频器的直接正交调制器的研究及设计

作　者: 王海屹
导　师: 周健军
学　校: 上海交通大学
专　业: 集成电路工程
关键词: LTE 正交调制器 低噪声 注入锁定分频器
分类号: TN761
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
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内容摘要


LTE(Long Term Evolution)项目是3G的演进,它改进并增强了3G的空中接入技术,在20MHz频谱带宽下能够提供下行100Mbit/s与上行50Mbit/s的峰值速率,并改善了小区边缘用户的性能,提高小区容量和降低系统延迟。直接上变频发射机适用于多种调制技术,例如GSM、WCDMA、LTE。它结构简单,适合宽带应用。其中正交调制器为其中的核心部分,包括本振信号产生器,混频器,驱动放大器等。注入锁定分频器(ILFD)可以作为正交信号产生器,它的突出特点在于比较低的功耗。本文提出了一种应用于LTE系统发射机中直接正交调制器的设计,主要包括无源混频器,由ILFD构成的25%占空比本振信号产生器和驱动放大器。整个系统工作于2500MHz,采用1.2V和2.5V电源电压。所有器件在TSMC 65nm 1p6m CMOS工艺下仿真,仿真结果显示调制器的输出功率2.5dBm,输出1dB压缩点为7dBm,在40MHz偏移处总输出噪声为-163dBc/Hz,在5HMz偏移处相邻信道功率抑制比(Adjacent Channel Power Ratio, ACPR)为-46dBc,在10HMz偏移处相邻信道功率抑制比为-60dBc,系统总功耗为51mW。

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 调制技术与调制器、解调技术与解调器 > 调制技术与调制器
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