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基于DBR的单片集成白光LED理论及工艺研究
作 者: 姜波
导 师: 黄黎蓉
学 校: 华中科技大学
专 业: 光学工程
关键词: 白光发光二极管 金属有机物化学气相淀积 量子阱 布拉格反射器
分类号: TN312.8
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
下 载: 63次
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内容摘要
白光发光二极管LED(Light Emitting Diode)由于具有亮度高、寿命长、节能、绿色环保等显著优点,被公认为下一代照明光源。其中单片集成白光LED是未来LED照明领域的发展趋势。本文从理论和实验两方面对单片集成白光LED进行了研究。理论方面首先阐明了载流子非均匀分布会对多量子阱白光LED产生影响,肯定对其研究的必要性;然后根据多量子阱白光LED的特点,借鉴多量子阱激光器时域模型来建立多量子阱白光LED模型;之后运用此模型进行MATLAB编程,对白光LED分别进行了数值模拟和计算分析。我们对影响白光LED性能的因素(注入电流、量子阱排布等)进行分析,得到了设计白光LED结构的理论依据。随后根据模拟结果进行了实验,实验结果验证了模拟结果的正确性。实验方面首先阐述了DBR(Distributed Bragg Reflector)对光功率的加强机理,并从理论上模拟了DBR的反射率;然后利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长工艺,调整生长参数,实现了铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)分布式布拉格反射器(DBR);根据DBR的生长结果,优化了生长参数,生长了基于DBR的绿光和白光LED。分析结果表明,DBR的引入可以增大白光LED中长波长与短波长的光功率比例,优化白光LED的色度学参数,进而改善了白光LED的性能。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 1 概论 8-15 1.1 白光LED 的研究意义 8-9 1.2 单片集成白光LED 研究的相关背景 9-11 1.3 LED 多量子阱载流子分布不均匀性的研究意义 11 1.4 DBR 的研究意义及其相关背景 11-14 1.5 本论文的篇章结构 14-15 2 单片集成白光LED 理论模拟与实验制作 15-34 2.1 LED 的基本结构及发光原理 15-16 2.2 构建白光多量子阱LED 模型的理论介绍 16-24 2.3 白光多量子阱LED 的数值模拟与分析 24-31 2.4 白光多量子阱LED 的实验制作和结果分析 31-33 2.5 本章小结 33-34 3 LED 的生长与测试技术介绍 34-39 3.1 LED 外延生长技术介绍 34-36 3.2 LED 测试技术介绍 36-39 4 分布布拉格反射LED 的理论及实验研究 39-53 4.1 DBR 的生长及测试 39-46 4.2 绿光DBR LED 的生长与测试 46-48 4.3 白光LED 的生长与测试 48-52 4.4 本章小结 52-53 5 全文总结 53-55 致谢 55-56 参考文献 56-59
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体二极管 > 二极管:按结构和性能分 > 发光二极管
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