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PLD法制备Ni_(1-x)Co_xO_(4/3)透明导电氧化物薄膜的研究
作 者: 许文彬
导 师: 韩杰才
学 校: 哈尔滨工业大学
专 业: 材料学
关键词: 透明导电氧化物薄膜 PLD Ni1-xCoxO4/3薄膜
分类号: O484.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
下 载: 29次
引 用: 1次
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内容摘要
透明导电氧化物(TCO)薄膜因为其良好的光电性能,广泛应用于平面显示器、太阳能电池、节能视窗、透明电磁屏蔽等领域。但由于光电性能良好的p型TCO薄膜的缺乏导致透明电子器件难以制备,因此TCO薄膜的p型掺杂成为了目前半导体材料领域的研究热点之一,制备出具有良好的光电性能的p型TCO薄膜成为了国际上的热门研究课题。NiO和Co3O4都是p型导电材料,据报道将它们按照不同的比例组合制备而成的Ni1-xCoxO4/3氧化物薄膜也是一种p型导电薄膜,并且具有良好的光电性能。本文采用传统的陶瓷烧结工艺制备了不同比例的镍钴氧化物靶材,为薄膜的制备提供条件。利用脉冲激光沉积(PLD)系统在CVDZnS衬底上制备了一系列Ni1-xCoxO4/3薄膜,采用AFM、SEM、XPS、轮廓仪等表征手段对薄膜进行了成分分析和结构分析,并对薄膜的电学性能和光学性能进行了测试分析。采用PLD法制备的Ni1-xCoxO4/3薄膜表面非常平整,薄膜粗糙度较小,薄膜与衬底结合较好,薄膜的厚度约50nm。XPS分析结果显示,薄膜中Ni元素和Co元素的比例和靶材中的比例吻合较好,但O原子所占比例较小,和预想化学计量比相差较大。薄膜中Ni和Co都同时存在二价和三价,薄膜主要以尖晶石结构存在。电学性能结果分析显示,采用PLD法制备的Ni1-xCoxO4/3薄膜具有优良的电学性能,其电阻率较低,最低的电阻率达到了1.22×10-4?·cm。但薄膜的光学性能较差,在可见光波段和红外波段透过率都较低。在保持薄膜具有高的电导率的同时,通过改变工艺参数,制备出高透过率的薄膜需要进一步的研究。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract 5-8 第1章 绪论 8-22 1.1 研究背景及意义 8-13 1.2 P 型透明导电氧化物(TCO)薄膜的发展现状 13-17 1.2.1 铜铁矿系氧化物 13-14 1.2.2 氧硫族化合物 14-15 1.2.3 氟硫化合物 15-16 1.2.4 p 型多元TCO 薄膜 16-17 1.3 p 型TCO 薄膜的制备方法 17-20 1.3.1 化学气相沉积 17-18 1.3.2 溶胶-凝胶法 18-19 1.3.3 磁控溅射法 19 1.3.4 脉冲激光沉积法 19-20 1.4 论文研究的主要内容 20-22 第2章 实验原理与研究方法 22-31 2.1 实验材料 22 2.2 PLD 基本原理 22-25 2.3 分析测试方法 25-30 2.3.1 扫描电子显微镜 25-26 2.3.2 原子力显微镜 26-27 2.3.3 X 射线光电子能谱 27 2.3.4 轮廓仪 27-28 2.3.5 四探针测试仪 28-29 2.3.6 分光光度计 29 2.3.7 傅里叶变换红外光谱仪 29-30 2.4 本章小结 30-31 第3章 Ni_(1-x)Co_xO_(4/3)薄膜的制备 31-40 3.1 引言 31-32 3.2 靶材的制备 32-34 3.2.1 实验过程 32-33 3.2.2 实验结果与讨论 33-34 3.3 脉冲激光沉积系统 34-37 3.3.1 准分子激光器 35 3.3.2 光学系统 35-36 3.3.3 生长室系统 36 3.3.4 抽气系统 36-37 3.3.5 供气系统 37 3.3.6 控制系统 37 3.4 薄膜的制备 37-39 3.4.1 制备薄膜的工艺参数 37-38 3.4.2 制备薄膜的工艺流程 38-39 3.5 本章小结 39-40 第4章 Ni_(1-x)Co_xO_(4/3)薄膜性能测试与分析 40-55 4.1 表面形貌观察 40-42 4.1.1 AFM 测试结果与分析 40-41 4.1.2 SEM 形貌分析 41-42 4.2 薄膜的XPS 表征 42-49 4.3 薄膜厚度的测量 49-50 4.4 薄膜的电学性能测试结果与分析 50-51 4.5 薄膜的光学性能测试结果与分析 51-54 4.5.1 可见光波段透过率 51-52 4.5.2 红外波段透过率 52-54 4.6 本章小结 54-55 结论 55-56 参考文献 56-61 攻读学位期间发表的学术论文 61-63 致谢 63-64 个人简历 64
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中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的生长、结构和外延
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