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络合剂对ZnO薄膜的结构及其性能的影响
作 者: 林微
导 师: 赵莲花
学 校: 延边大学
专 业: 无机化学
关键词: ZnO薄膜 络合剂 光催化 导电
分类号: O614.241
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
下 载: 25次
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内容摘要
氧化锌(ZnO)为六方纤锌矿结构的宽禁带直接带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体材料(3.37eV)。由于ZnO 60 meV激子束缚能(室温的热离化能为26 meV)以及很强的紫外受激辐射,在短波长发光器件方面有很大的发展潜力,成为继GaN后在宽禁带半导体领域又一研究热点。由于在可见光区有着高达90%以上的透过率以及良好的导电性能,在表面声波、太阳能电池、气敏和压敏元件、液晶显示等领域也得到了较为广泛的应用,有着广阔的应用前景。另外,氧化锌在降解水溶液中活性蓝19等染料以及氧化原儿茶酸方面表现出比TiO2更好的光催化性能。研究人员大多通过离子掺杂和半导体复合等手段来修饰粉末ZnO。但氧化剂存在易失活、易团聚和难回收等缺点,因而限制了它的实际应用。所以纳米晶ZnO固载技术的研究成为光催化发展的一个重要方面。到目前为止,人们大多倾向于研究薄膜的厚度、煅烧温度、溶胶浓度和溶胶PH值对ZnO薄膜的结构及其性能影响。但络合剂对薄膜的结构及其光催化性能、导电性能的影响的报道却很少。本实验采用溶胶-凝胶法,分别以乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)为络合剂,在两种玻璃基板上制备ZnO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、UV-vis光谱仪、X射线光电子能谱(XPS)等技术研究了三种络合剂对ZnO薄膜的结构和及其性能的影响。实验结果表明:1)选择的络合剂不同,晶粒扩散距离不同,使得制备的薄膜晶面结构择优取向均有差异,其中,MEA/ZnO薄膜表现出良好的(002)晶面择优取向,DEA/ZnO薄膜次之,TEA/ZnO薄膜则有各相异性。2) MEA/ZnO薄膜为致密的球型,显示较小的粗糙度,与其(002)面取向性较高相关。3)三种络合剂下制备的ZnO薄膜平均粒径相差不大,但光催化活性却相差较大。活性顺序为:DEA/ZnO> TEA/ZnO> MEA/ZnO。DEA/ZnO薄膜最佳的光吸收性能、较多的缺陷以及较高的活性物种(吸附氧、羟基)量可能成为其光催化性能最佳的原因。4)三种络合剂制备的ZnO薄膜导电性能顺序为:MEA/ZnO> DEA/ZnO> TEA/ZnO。MEA/ZnO较小的晶界能,以及电子-空穴复合率较少,是其导电性能较好的主要原因。该实验结果为ZnO薄膜的结构及其性能的基础理论研究提供了一定的理论依据,对该领域中ZnO薄膜走向应用的研究有十分重要的意义。
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全文目录
摘要 5-6 Abstract 6-10 第一章 绪论 10-21 1.1 ZnO的晶体结构 10-12 1.2 ZnO的能带结构 12-13 1.3 ZnO的性质及应用 13-16 1.4 ZnO薄膜的制备方法 16-19 1.5 ZnO的研究现状 19 1.6 研究内容及意义 19-21 第二章 络合剂对普通玻璃基板上制备的ZnO薄膜的结构及其性能的影响 21-34 2.1 引言 21 2.2 实验部分 21-22 2.3 薄膜的表征 22-23 2.4 结果与讨论 23-33 2.5 本章小结 33-34 第三章 络合剂对石英玻璃基板上制备的ZnO薄膜的结构及性能的影响 34-39 3.1 引言 34 3.2 实验部分 34-35 3.3 薄膜的表征 35 3.4 结果与讨论 35-37 3.5 本章小结 37-39 第四章 湿度对掺铝ZnO薄膜的结构及性能的影响 39-47 4.1 引言 39-40 4.2 实验部分 40-41 4.3 薄膜的表征 41 4.4 结果与讨论 41-46 4.5 小结 46-47 结论 47-48 参考文献 48-53 致谢 53-54 硕士期间发表论文 54
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中图分类: > 数理科学和化学 > 化学 > 无机化学 > 金属元素及其化合物 > 第Ⅱ族金属元素及其化合物 > 锌副族(ⅡB族金属元素) > 锌Zn
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