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直流偏场和面内场联合作用下ID畴壁内VBL的稳定性

作　者: 王丽娜
导　师: 聂向富
学　校: 河北师范大学
专　业: 凝聚态物理
关键词: 磁畴壁垂直布络赫线直流偏场面内场
分类号: O482.5
类　型: 硕士论文
年　份: 2006年
下　载: 4次
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内容摘要

超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密度布洛赫线存储器的研制和磁畴壁物理的发展都是非常重要的。直流偏场（H_b）和面内场(H_ip)都是影响硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的重要因素。以前的实验研究了用脉冲偏场法产生的三类硬磁畴在面内场作用下的行为,发现存在一个与材料参量相关的临界面内场范围[H_ip¹,H_ip²],在这个范围内,磁畴壁中的垂直布洛赫线是逐步丢失的。王远飞等人研究了直流偏场和面内场共同作用对第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）和普通硬磁畴（OHB）的影响,发现了一些有价值的规律。那么对于第Ⅰ类哑铃畴（ⅠD）会是怎样的情况以及这三类硬磁畴在直流偏场和面内场共同作用下会有怎样的共性和特性?这就是本文的出发点。首先本文给出了H_b不为零时ⅠD剩余率曲线和ⅠD的缩灭场曲线。发现随着H_b的升高,ⅠD剩余率曲线下降的趋势愈发剧烈,表明自缩灭的作用也愈来愈大。其次为了比较三类硬磁畴畴壁内VBL解体机制的内在联系,在相同的外界条件下,本文对ⅡD和OHB也作了相同的实验。比较三者的结果,发现:在相同的H_b下三类硬磁畴的H_ip²一致;H_ip¹则是ⅡD<ⅠD<OHB。在不同的H_b下,随着H_b的增大,H_ip¹和H_ip²减小;临界场范围[H_ip¹,H_ip²]也变窄。因为随着H_b的增大,H_b和H_ip给磁畴的能量也越大,使得VBL含量多的磁畴容易变

全文目录

中文摘要  3-5
ABSTRACT  5-9
第一章绪论  9-15
  §1.1 磁泡存储器和布洛赫线存储器  9-10
  §1.2 选题背景和内容  10-15
第二章磁畴壁物理基础  15-35
  §2.1 磁畴与磁泡  15-21
    2.1.1 基本概念  15
    2.1.2 磁泡的形成条件  15-16
    2.1.3 磁泡的静态特性  16-19
    2.1.4 产生磁泡的材料  19-21
  §2.2 磁畴壁和布洛赫线  21-33
    2.2.1 磁畴壁结构  21-25
    2.2.2 布洛赫线  25-28
    2.2.3 布洛赫线间的相互作用  28-30
    2.2.4 布洛赫点  30-33
  §2.3 硬磁畴的分类和实验研究  33-35
第三章实验内容  35-70
  §3.1 实验准备  35-39
    3.1.1 室温下样品的静态参数  35-36
    3.1.2 脉冲小线圈  36-38
    3.1.3 三类硬磁泡的缩灭场  38-39
  §3.2 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃的软化过程  39-46
    3.2.1 实验方法  39
    3.2.2 结果和讨论  39-45
    小节  45-46
  §3.3 直流偏场和面内场联合作用下三类硬磁畴软化过程的比较  46-57
    3.3.1 实验方法  46-47
    3.3.2 结果和讨论  47-56
    小节  56-57
  §3.4 记录ⅠD和ⅡD具体转化过程的照片  57-60
    3.4.1 实验方法  57
    3.4.2 结果和讨论  57-59
    小节  59-60
  §3.5 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴畴壁内VBLs的崩溃  60-70
    3.5.1 实验方法  60
    3.5.2 结果和讨论  60-69
    小节  69-70
第四章结论  70-71
参考文献  71-73
发表论文  73-74
致谢  74

直流偏场和面内场联合作用下ID畴壁内VBL的稳定性

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