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低能聚变反应中的电子屏蔽效应

作　者: 连刚
导　师: C.Rolfs；柳卫平
学　校: 中国原子能科学研究院
专　业: 粒子物理与原子核物理
关键词: 电子屏蔽效应天体物理S(E)因子德拜模型
分类号: O571
类　型: 硕士论文
年　份: 2004年
下　载: 46次
引　用: 2次
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内容摘要

论文系统地论述了天体物理感性趣能区带电粒子核反应中电子屏蔽效应的实验及理论研究的进展，简要地介绍了恒星热核反应中等离子体静电屏蔽效应的理论探讨的概况。为了深入了解电子屏蔽效应的机制，我们在鲁尔大学DTL实验室100keV加速器上采用一系列氘化金属靶、氘化绝缘体靶和氘化半导体靶进行了d(d，p)t反应的研究。实验结果表明，大多数氘化金属靶中的电子屏蔽效应较大，而氘化绝缘体靶和氘化半导体靶中的电子屏蔽效应相对较小。在对金属中的电子做准自由近似后，应用经典的德拜模型可以对氘化金属靶的结果给出一种合理的解释，验证实验正在进行中。从实验数据中还可以得到各种材料对氘的吸附能力的信息。

全文目录

中文摘要  4-5
英文摘要  5-6
第一章电子屏蔽效应概述  6-13
  1．1 引言  6-7
  1．2 带电粒子核反应中的电子屏蔽效应  7-10
  1．3 恒星等离子体中的静电屏蔽效应  10-13
第二章国际上电子屏蔽效应的研究进展  13-23
  2．1 电子屏蔽效应的实验研究  13-16
  2．2 电子屏蔽效应的理论研究  16-21
  2．3 实验结果与理论模型的差异  21-23
第三章德国鲁尔大学DTL实验室d(d,p)t反应电子屏蔽效应的实验研究  23-35
  3．1 金属材料中发生的核反应电子屏蔽势的异常增大  23-25
  3．2 鲁尔大学DTL实验室100kV加速器概况  25-26
  3．3 实验设置  26-28
  3．4 实验方法  28-31
  3．5 数据分析  31-35
第四章实验结果及讨论  35-44
  4．1 实验结果总结  35-39
  4．2 实验结果讨论  39-41
  4．3 对实验结果一种可能的理论解释  41-44
第五章论文总结  44-45
本人在攻读硕士期间发表的论文  45-46
致谢  46-47
参考文献  47-49
附录1：电子屏蔽效应倍增因子的导出  49-50
附录2：实验中采用的材料表面分析方法  50-56
附录3：霍尔效应与霍尔系数  56-57

低能聚变反应中的电子屏蔽效应

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