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高功率半导体激光器的制备技术研究

作　者: 林楠
导　师: 薄报学
学　校: 长春理工大学
专　业: 光学
关键词: 高功率效率半导体激光器腔面钝化 PL谱
分类号: TN248.4
类　型: 硕士论文
年　份: 2008年
下　载: 175次
引　用: 2次
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内容摘要

在量子阱激光器理论的基础上,总结并探讨了高功率半导体激光器的器件结构方面的设计优化。为了提高激光器的光学灾变(COMD)水平,进而提高输出功率,提出了一种新的腔面钝化方案,即氮离子腔面钝化方法。采用光荧光谱仪(PL)对钝化效果进行评价,对钝化前后样品的PL谱进行对比,发现钝化前后的样品的PL谱略有改进。并在实验中研究了钝化条件(温度、钝化时间、氮氢气体的流量、射频功率等因素)对钝化效果的影响,通过对PL谱的对比分析,大致得出了以上几个因素对钝化效果影响的规律性结论。对氮钝化的下一步研究和改进,具有一定的参考价值。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章绪论  7-12
  1.1 半导体激光器的发展回顾  7-10
  1.2 大功率半导体激光器的应用  10-11
  1.3 论文的主要内容  11-12
第二章高功率半导体激光器设计理论  12-26
  2.1 量子阱激光器理论  12-16
  2.2 半导体激光器的输出功率和效率  16-18
  2.3 热阻对功率输出的影响  18-20
  2.4 波导的选择  20-23
  2.5 腔面膜优化设计  23-26
第三章腔面钝化的研究  26-37
  3.1 光学灾变  26-27
  3.2 克服光学灾变的方法  27-31
  3.3 氮钝化实验  31-37
第四章高功率半导体激光器的制作工艺  37-47
  4.1 欧姆接触  37-40
  4.2 腔面镀膜工艺  40-42
  4.3 器件制作工艺流程  42-47
结论  47-48
致谢  48-49
参考文献  49-50

高功率半导体激光器的制备技术研究

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