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有机发光二极管中先进载流子注入技术的研究
作 者: 陈磊
导 师: 秦大山
学 校: 河北工业大学
专 业: 高分子化学与物理
关键词: OLED n型掺杂 p型掺杂 方波驱动 载流子迁移率
分类号: TN383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要
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有机发光二极管(OLED)在平板显示以及固态照明领域得到了快速发展。为了进一步的促进OLED产业快速平稳的发展,开发新的有机功能材料以及优化器件光电特性变得尤为重要。本论文主要做了三个方面的研究工作:首先,制备了含有ITO/NTCDA/Li2CO3掺杂BCP(1:4Li2CO3:BCP)电子注入结构的反转底发射的有机发光二极管IBOLED。其中ITO上的NTCDA是结晶的、n型掺杂的。相对于单掺杂层器件,n型NTCDA的加入提高了器件的整体性能。还研究了NTCDA厚度对器件性能的影响。其次,载流子迁移率是设计高性能OLED的重要参数之一,我们提出利用方波驱动法测定并计算出Alq3中的电子迁移率,得到的结果和文献的报道值相吻合。最后,MoO3掺杂的NPB(NPB:MoO3)和MoO3掺杂的CBP(CBP:MoO3)联合使用可以提高空穴传导性能。相对于单掺杂层的使用,双掺杂层器件性能优越很多,但这要受限与第一个掺杂层NPB:MoO3的厚度的影响。还对双掺杂层之间的界面能垒对OLED器件性能的影响进行了研究和阐述。
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全文目录
摘要 4-5 ABSTRACT 5-8 第一章 绪论 8-24 1.1 OLED的简介 8-12 1.1.1 OLED及其产品的发展概述 8-9 1.1.2 OLED应用市场前景 9-12 1.2 OLED的结构及发光机理 12-17 1.2.1 OLED的结构 12-14 1.2.2 OLED的发光机理 14-17 1.3 OLED材料选择 17-22 1.3.1 电极材料 17-18 1.3.2 发光材料 18-20 1.3.3 空穴传输材料 20-21 1.3.4 电子传输以及主体发光材料 21-22 1.4 本文创新和研究内容 22-24 第二章 器件的制备工艺 24-30 2.1 仪器和材料试剂 24-25 2.1.1 仪器 24-25 2.1.2 试剂和材料 25 2.2 器件制备工艺 25-27 2.2.1 阳极的制备 26-27 2.2.2 真空蒸镀 27 2.3 器件的性能评价 27-30 2.3.1 光学性能 27-29 2.3.2 电学性能 29-30 第三章 结晶n型NTCDA薄膜提高反转有机发光二极管性能的研究 30-38 3.1 引言 30-31 3.2 蒸镀到ITO上的NTCDA的特性研究 31-32 3.3 n-NTCDA在IBOLED中作为电子注入层的研究 32-37 3.3.1 器件结构 32-33 3.3.2 电子注入结构ITO/BCP:Li_2CO_3(4:1)10nm和ITO/NTCDA3nm/BCP:Li_2CO_3(4:1)7nm性能比较 33-34 3.3.3 电子从n-NTCDA到BCP:Li_2CO_3(4:1)的传输机理 34-36 3.3.4 IBOLED中NTCDA的厚度对电流传导率的影响 36-37 3.4 本章小结 37-38 第四章 方波驱动法测定Alq3的电子迁移率 38-46 4.1 引言 38-39 4.2 方波驱动法测定迁移率的原理 39-41 4.2.1 器件结构 39-40 4.2.2 方波驱动研究Alq3电致发光的实验设备 40 4.2.3 Alq3的电子迁移率的原理及计算方法 40-41 4.3 迁移率的测定 41-45 4.3.1 器件的光电性能 41-42 4.3.2 方波驱动测定及迁移率计算 42-45 4.3.3 方波驱动法相对于传统方法的优势 45 4.4 本章小结 45-46 第五章 双p型掺杂层提高有机发光二极管中的空穴电流的研究 46-58 5.1 引言 46-47 5.2 p型及双p型掺杂器件光电性能的研究 47-54 5.2.1 器件结构 47-48 5.2.2 MoO_3掺杂CBP的掺杂效果 48-49 5.2.3 应用单掺杂层CBP:MoO_3结构器件的性能 49-51 5.2.4 NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双p型器件性能 51-53 5.2.5 NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双掺杂层与单掺杂层CBP:MoO_3的I-V特性比较 53-54 5.3 双p型掺杂层界面处的φB以及其对空穴电流的影响 54-56 5.4 本章小结 56-58 第六章 结论与展望 58-60 参考文献 60-68 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 68-70 致谢 70
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
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