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有机发光二极管中先进载流子注入技术的研究

作 者: 陈磊
导 师: 秦大山
学 校: 河北工业大学
专 业: 高分子化学与物理
关键词: OLED n型掺杂 p型掺杂 方波驱动 载流子迁移率
分类号: TN383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要


有机发光二极管(OLED)在平板显示以及固态照明领域得到了快速发展。为了进一步的促进OLED产业快速平稳的发展,开发新的有机功能材料以及优化器件光电特性变得尤为重要。本论文主要做了三个方面的研究工作:首先,制备了含有ITO/NTCDA/Li2CO3掺杂BCP(1:4Li2CO3:BCP)电子注入结构的反转底发射的有机发光二极管IBOLED。其中ITO上的NTCDA是结晶的、n型掺杂的。相对于单掺杂层器件,n型NTCDA的加入提高了器件的整体性能。还研究了NTCDA厚度对器件性能的影响。其次,载流子迁移率是设计高性能OLED的重要参数之一,我们提出利用方波驱动法测定并计算出Alq3中的电子迁移率,得到的结果和文献的报道值相吻合。最后,MoO3掺杂的NPB(NPB:MoO3)和MoO3掺杂的CBP(CBP:MoO3)联合使用可以提高空穴传导性能。相对于单掺杂层的使用,双掺杂层器件性能优越很多,但这要受限与第一个掺杂层NPB:MoO3的厚度的影响。还对双掺杂层之间的界面能垒对OLED器件性能的影响进行了研究和阐述。

全文目录


摘要  4-5
ABSTRACT  5-8
第一章 绪论  8-24
  1.1 OLED的简介  8-12
    1.1.1 OLED及其产品的发展概述  8-9
    1.1.2 OLED应用市场前景  9-12
  1.2 OLED的结构及发光机理  12-17
    1.2.1 OLED的结构  12-14
    1.2.2 OLED的发光机理  14-17
  1.3 OLED材料选择  17-22
    1.3.1 电极材料  17-18
    1.3.2 发光材料  18-20
    1.3.3 空穴传输材料  20-21
    1.3.4 电子传输以及主体发光材料  21-22
  1.4 本文创新和研究内容  22-24
第二章 器件的制备工艺  24-30
  2.1 仪器和材料试剂  24-25
    2.1.1 仪器  24-25
    2.1.2 试剂和材料  25
  2.2 器件制备工艺  25-27
    2.2.1 阳极的制备  26-27
    2.2.2 真空蒸镀  27
  2.3 器件的性能评价  27-30
    2.3.1 光学性能  27-29
    2.3.2 电学性能  29-30
第三章 结晶n型NTCDA薄膜提高反转有机发光二极管性能的研究  30-38
  3.1 引言  30-31
  3.2 蒸镀到ITO上的NTCDA的特性研究  31-32
  3.3 n-NTCDA在IBOLED中作为电子注入层的研究  32-37
    3.3.1 器件结构  32-33
    3.3.2 电子注入结构ITO/BCP:Li_2CO_3(4:1)10nm和ITO/NTCDA3nm/BCP:Li_2CO_3(4:1)7nm性能比较  33-34
    3.3.3 电子从n-NTCDA到BCP:Li_2CO_3(4:1)的传输机理  34-36
    3.3.4 IBOLED中NTCDA的厚度对电流传导率的影响  36-37
  3.4 本章小结  37-38
第四章 方波驱动法测定Alq3的电子迁移率  38-46
  4.1 引言  38-39
  4.2 方波驱动法测定迁移率的原理  39-41
    4.2.1 器件结构  39-40
    4.2.2 方波驱动研究Alq3电致发光的实验设备  40
    4.2.3 Alq3的电子迁移率的原理及计算方法  40-41
  4.3 迁移率的测定  41-45
    4.3.1 器件的光电性能  41-42
    4.3.2 方波驱动测定及迁移率计算  42-45
    4.3.3 方波驱动法相对于传统方法的优势  45
  4.4 本章小结  45-46
第五章 双p型掺杂层提高有机发光二极管中的空穴电流的研究  46-58
  5.1 引言  46-47
  5.2 p型及双p型掺杂器件光电性能的研究  47-54
    5.2.1 器件结构  47-48
    5.2.2 MoO_3掺杂CBP的掺杂效果  48-49
    5.2.3 应用单掺杂层CBP:MoO_3结构器件的性能  49-51
    5.2.4 NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双p型器件性能  51-53
    5.2.5 NPB:MoO_3和CBP:MoO_3联合使用的双掺杂层与单掺杂层CBP:MoO_3的I-V特性比较  53-54
  5.3 双p型掺杂层界面处的φB以及其对空穴电流的影响  54-56
  5.4 本章小结  56-58
第六章 结论与展望  58-60
参考文献  60-68
攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果  68-70
致谢  70

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
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