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0.18μm光刻制程中显影工艺的优化
作 者: 吴敏
导 师: 荣国光; 阮春军
学 校: 上海交通大学
专 业: 集成电路工程
关键词: 光刻 显影工艺 关键尺寸 缺陷 优化
分类号: TN305.7
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
下 载: 43次
引 用: 0次
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内容摘要
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集成电路的发明和应用,是人类20世纪最重要的科技进步之一。随着集成电路工艺关键尺寸(CD)的大小不断递减,作为集成电路制造工艺中关键的光刻技术更是面临着巨大的挑战。这不仅是技术节点跨越的难题,更是需要新工艺平台的生产设备的更新和工艺优化,以满足半导体性能和可靠性的提高。0.18μm光刻制程中,针对显影的工艺技术一直在优化中。本论文就是基于目前已有的工艺技术条件,来进一步探讨显影工艺的优化。0.18μm光刻制程对CD的精确度要求已经很高,允许误差只有0.014μm。本论文通过实验分析显影工艺对CD的影响,研究了影响CD的因素——显影腔的exhaust(排气)、PEB温度、显影液的流量及显影后烘烤温度。从实验中找到了使CD的表现达到最佳的显影工艺。在0.18μm工艺实际生产中我们发现,显影过程带来的缺陷在整个光刻制程中是最多的。主要的几种显影缺陷有表面粒子,光刻胶残留和反应物残留。经过后道的刻蚀工艺,这些缺陷就会转移到实际的电路上,从而影响产品的良率或可靠性。本论文主要围绕这几种显影缺陷,设计实验,分析研究缺陷的形成机理,探讨减少缺陷、提高良率的最优工艺方法。在生产中发现了两种新型缺陷——凹陷缺陷与微残留,本论文从实际出发,研究了这两种缺陷的成因,找到了解决方案。显影程式决定显影的工艺生产流程。本论文通过实验研究了显影程式对产品的影响,分析了显影液涂布程式、去离子水喷洒程式与PEB程式,找到了最佳的显影程式,优化了0.18μm显影工艺。
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全文目录
摘要 5-6 ABSTRACT 6-12 第一章 引言 12-19 1.1 集成电路制造技术的发展变迁 12-16 1.1.1 光刻技术的发展历程 12-13 1.1.2 显影工艺的发展现状 13-16 1.2 显影工艺的技术关键及其对光刻的影响 16-18 1.2.1 显影液的化学组分及其作用 16-17 1.2.2 显影的微观过程 17-18 1.2.3 显影的技术关键及对光刻的影响 18 1.3 本文研究的主要内容和方向 18-19 第二章 0.18微米显影工艺中CD的优化 19-30 2.1 CD的测量与评价标准 19-21 2.2 显影工艺中影响CD的因素 21-22 2.3 0.18μm显影工艺中CD的优化 22-29 2.3.1 显影工作腔exhaust的优化 22-24 2.3.2 LD喷嘴的最佳流量值 24-26 2.3.3 显影前烘烤温度的优化 26-27 2.3.4 显影后烘烤温度的优化 27-29 2.4 本章小结 29-30 第三章 0.18微米显影工艺中缺陷的控制 30-42 3.1 显影过程中缺陷的种类与来源 30-35 3.1.1 表面粒子污染 30-31 3.1.2 光刻胶残留 31-32 3.1.3 反应物残留 32-33 3.1.4 缺陷的检查方法 33-35 3.2 缺陷的降低与成品率的提高 35-40 3.2.1 机台清洁度的控制 35-36 3.2.2 显影液与去离子水流量的控制 36-38 3.2.3 新型缺陷的研究与控制 38-40 3.3 本章小结 40-42 第四章 显影程式的优化 42-53 4.1 显影程式 42-43 4.1.1 制造程式的定义与作用 42 4.1.2 显影程式及其优化意义 42-43 4.2 显影液涂布程式的优化 43-47 4.2.1 E2喷嘴的显影液涂布程式 43-44 4.2.2 LD喷嘴的显影液传统涂布程式 44-45 4.2.3 LD喷嘴扫描程式的优化 45-47 4.3 去离子水喷洒程式的优化 47-49 4.3.1 去离子水的传统喷洒程式 47-48 4.3.2 去离子水喷洒程式的优化 48-49 4.4 PEB程式的优化 49-52 4.4.1 冷板冷却时间的优化 49-50 4.4.2 热板烘烤时间的优化 50-52 4.5 本章小结 52-53 第五章 结束语 53-56 5.1 主要工作与创新点 53-54 5.2 后续研究工作 54-56 参考文献 56-60 致谢 60-61 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 61
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜
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