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半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护研究

作　者: 赵佳
导　师: 张琳
学　校: 南京理工大学
专　业: 应用化学
关键词: SCB 电容放电恒流源静电放电 PSpice 泄放通道 TVS
分类号: TJ450
类　型: 硕士论文
年　份: 2014年
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内容摘要

本文研究了半导体桥(SCB)火工品的点火特性和SCB火工品在静电环境下的响应特性,并用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行模拟,研究了半导体桥火工品静电防护措施。具体如下：(1)从放电时刻光斑大小、放电曲线、压药压力等多个方面,比较了SCB火工品在电容放电和恒流源激励两种点火方式下的点火性能,掌握了SCB火工品在电容放电和直流点火两种不同激励方式下的点火规律。(2)研究有无药剂对半导体桥静电作用的影响,以及半导体桥在静电作用后性能劣化以及未劣化情况下,半导体桥的性能变化规律。(3)从桥面形状设计和防护器件两个方面研究了SCB火工品本征静电防护：增大半导体桥芯片尺寸、避免容易使电流密集的尖角等特征形状、并联电容以及TVS二极管；使用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行仿真模拟,为下一步静电防护模拟打下坚实基础。(4)探索了SCB火工品脚-壳间多种静电防护的途径。结果表明,管壳与脚线之间涂导电胶,在半导体桥陶瓷塞上设计泄放通道,都可以达到防静电效果；针对脚-壳间放电的薄弱环节,加大了焊锡点与管壳顶端的绝缘材料,增加了焊锡点与管壳侧面距离,防静电效果显著。

全文目录

摘要  5-6
Abstract  6-9
1 绪论  9-17
  1.1 研究的目的及意义  9
  1.2 半导体桥火工品的研究进展  9-12
    1.2.1 SCB的研究现状  9-10
    1.2.2 半导体桥点火性能研究进展  10-12
  1.3 半导体桥静电放电特性及静电防护研究现状  12-14
    1.3.1 静电放电及危害  12
    1.3.2 SCB静电放电特性研究现状  12-13
    1.3.3 SCB静电防护研究现状  13-14
  1.4 PSpice软件简介  14-16
    1.4.1 PSpice的基本组成  14-15
    1.4.2 PSpice电路仿真的基本步骤  15-16
  1.5 本文的主要研究内容  16-17
2 不同激励方式下半导体桥点火性能对比  17-27
  2.1 半导体桥点火实验原理及方法  17-19
  2.2 电压电流曲线的比较  19-22
  2.3 发火光斑及桥区变化的比较  22-23
  2.4 压药压力的影响  23-24
  2.5 药剂影响  24-26
  2.6 小结  26-27
3 半导体桥静电损伤特性研究  27-41
  3.1 半导体桥静电放电实验原理及方法  27-28
  3.2 SCB与SCB火工品ESD作用后的差异  28-33
  3.3 SCB耐受ESD作用劣化前后的差异  33-37
    3.3.1 电阻变化  33-35
    3.3.2 点火性能的变化  35-37
  3.4 不同形状SCB耐受ESD作用的差异  37-40
  3.5 本章小结  40-41
4 半导体桥火工品脚-脚间静电防护研究  41-60
  4.1 改变半导体桥芯片尺寸大小对静电防护的贡献  41-46
    4.1.1 半导体桥临界爆发电压的理论计算  41-43
    4.1.2 MSCB与中型桥的比较  43-46
  4.2 改变半导体桥芯片形状对静电防护的贡献  46-48
  4.3 电子元器件对SCB火工品脚—脚间静电防护的贡献  48-52
    4.3.1 电容抗静电加固  48-50
    4.3.2 TVS二极管抗静电加固  50-52
  4.4 半导体桥脚—脚间静电防护模拟  52-58
    4.4.1 搭建测试电路  53-55
    4.4.2 半导体桥子电路  55-57
    4.4.3 对测试电路进行模拟仿真  57-58
  4.5 本章小结  58-60
5 半导体桥火工品脚-壳间静电防护研究  60-64
  5.1 泄放通道对静电防护的影响  60-61
  5.2 “堵”防静电方式研究  61-63
  5.3 本章小结  63-64
结论  64-66
致谢  66-67
参考文献  67-70
附录  70-73

半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护研究

内容摘要

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