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MOCVD法氧化锌薄膜材料生长

作　者: 唐巍
导　师: 杨小天
学　校: 吉林建筑工程学院
专　业: 建筑技术科学
关键词: 氧化锌生长 MOCVD
分类号: TN304.055
类　型: 硕士论文
年　份: 2010年
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内容摘要

氧化锌(Zinc Oxide, ZnO）作为一种新兴的半导体材料，近几年，对其材料生长、合成，器件制备与应用等方面的研究工作逐步深入。氧化锌材料因其禁带宽度宽，室温下，性能稳定，材料易于生长、合成，且可在相对较低温度下，多种衬底上生长，因而得到了广泛重视。氧化锌薄膜晶体管基于氧化锌材料自身优势，在替代硅基薄膜晶体管方面极具潜力。本文采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical VaporDeposition, MOCVD)方法，对在以康宁玻璃(Corning glass)、ITO（IndiumTin Oxide）玻璃、硅为衬底的氧化锌薄膜生长做了研究。主要研究了生长温度、作为氧源的氧气对薄膜生长质量的影响。利用X射线衍射（X-raydiffraction, XRD）图谱分析、光荧光谱(Photoluminescence, PL)分析和原子力显微镜(Atom Force Microscope, AFM)观察等测试手段，对生长的氧化锌薄膜的晶体生长质量，及有关电学性能参数进行了表征。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-8
第1章绪论  8-24
  1.1 引言  8-10
  1.2 氧化锌的物理与化学基本特性  10-12
  1.3 氧化锌薄膜的基本用途  12-16
  1.4 氧化锌薄膜的生长方法  16-20
  1.5 氧化锌薄膜器件介绍  20-23
  1.6 本论文的研究内容  23-24
第2章氧化锌薄膜生长金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统  24-34
  2.1 金属有机化学气相沉积方法原理  24-26
    2.1.1 MOCVD 法制备薄膜的生长步骤  24-25
    2.1.2 MOCVD 法制备薄膜的生长机制  25-26
  2.2 用于氧化锌薄膜生长的反应系统  26-34
    2.2.1 技术简介  26-28
    2.2.2 MOCVD 法生长ZnO 源材料的选择  28-30
    2.2.3 用于ZnO 生长的等离子增强MOCVD 反应系统  30-34
第3章玻璃衬底上氧化锌薄膜材料生长  34-50
  3.1 不同氧气分压下氧化锌薄膜生长  35-44
  3.2 不同温度下氧化锌薄膜生长  44-49
  3.3 本章小结  49-50
第4章硅衬底上氧化锌薄膜材料生长  50-60
  4.1 引言  50
  4.2 硅衬底上氧化锌薄膜生长的条件优化  50-59
  4.3 本章小结  59-60
结论  60-61
参考文献  61-66
攻读学位期间发表的学术论文  66-69
致谢  69-70
个人简历  70

MOCVD法氧化锌薄膜材料生长

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