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MOS器件模型参数提取

作　者: 郭超
导　师: 陈星弼
学　校: 电子科技大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 智能功率集成电路功率MOS器件模型参数提取
分类号: TN43
类　型: 硕士论文
年　份: 2004年
下　载: 697次
引　用: 3次
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内容摘要

将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动,本文中介绍的智能功率集成电路是特别用于电子镇流器的。本文首先简述了智能功率集成电路的研究和发展,从中可以得出本课题的目的:功率集成电路中将功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上,其重要性和价值是非常重大的。其次,本文阐述了在已经设定的工艺下,通过器件模拟和AURORA软件,提取低压MOS模型参数的方法。提取出的模型参数被用于低压逻辑控制电路的设计和仿真,并为下一步通过工艺测试获取模型参数作为参考。接下来介绍了陈星弼教授提出的功率MOS模型及其提取方法。本文围绕这种方法,说明了提取压变电阻和势垒电容的过程,并讨论了如何将压变电阻和势垒电容模型用于电路仿真的问题。在附录中,给出了UNIX下shell程序和Medici运算结合的实例。利用shell程序能够提高器件模拟和数据处理的效率。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-6
目录  6-7
第一章引言  7-10
  1.1 功率电子学(POWER ELECTRONICS)的发展  7
  1.2 功率集成电路(POWER IC、PIC)  7-8
  1.3 本课题的主要研究工作  8-10
第二章低压MOS模型参数提取  10-35
  2.1 低压MOS模型介绍  10-22
    2.1.1 电路模拟器与模型简介  10-15
    2.1.2 SPICE MOS 1 、2、3、4级模型  15-22
  2.2 提取低压MOS模型参数  22-30
    2.2.1 AURORA软件简介  22-23
    2.2.2 提取模型参数的步骤  23-25
    2.2.3 提取过程及分析  25-30
  2.3 MOS电容的提取  30-33
  2.4 根据工艺测试提取MOS参数的方法  33-35
第三章功率MOS模型参数提取  35-46
  3.1 具有新型耐压层结构的功率MOS模型简介  35-38
  3.2 MEDICI程序模拟提取模型参数  38-39
  3.3 势垒电容与压变电阻在电路仿真时的模型应用  39-46
结束语  46-48
参考文献  48-50
致谢  50-51
附录1 由瞬态运算提取功率MOS压变电阻和势垒电容的程序  51-54
附录2 利用shell程序产生三角形网格的一种方法  54-61
附录3 SPICE MOS LEVEL=3模型参数  61-62
个人简历  62

MOS器件模型参数提取

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