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高压TSC可控硅开关控制技术的研究
作 者: 肖刚
导 师: 张建华
学 校: 华北电力(北京)大学
专 业: 电力系统及其自动化
关键词: 高压TSC装置 静止无功补偿器 可控硅开关阀 开关阀触发系统 无冲击涌流投入电容技术 可控硅开关控制器
分类号: TM564
类 型: 硕士论文
年 份: 2002年
下 载: 505次
引 用: 7次
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内容摘要
高压TSC装置是指额定工作电压为6kV~35kV可控硅投切电容器补偿装置,其是一种典型静止无功补偿器,其对增强系统稳定性、提高系统运行经济性,保证电压质量及改善电能质量都能发挥良好的作用。目前国内对高压TSC装置研制与生产还处于起步阶段,加速高压TSC装置的国产化,对在我国电力系统中早日推广与应用高压TSC装置具有重大意义。 可控硅开关是高压TSC装置的关键构成部件,高压TSC装置要求可控硅开关应具有良好的电气性能,要求可控硅开关控制应是有效和可靠的。 本论文对高压TSC装置所用的可控硅开关的主电路电气结构、主电路的保护电路、主电路中的重要元件参数的选择、可控硅开关的触发系统构成、无冲击涌流投入电容器技术、可控硅开关控制器功能设计及其功能实现进行了深入的研究和探讨,并对可控硅开关控制器进行了实际的设计和试制,现场测试证明其对可控硅开关的控制是可靠、有效的。
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全文目录
第一章 绪论 6-13 1.1 论文课题提出的意义 6-7 1.2 高压TSC装置原理简介 7-9 1.3 高压TSC装置与静止无功补偿器(SVC) 9-11 1.4 国外高压TSC装置制造与应用情况介绍 11-12 1.5 论文工作介绍 12-13 第二章 可控硅开关阀的主电路设计 13-25 2.1 可控硅元件 13-17 2.1.1 可控硅元件的工作原理 13-15 2.1.2 可控硅元件的主要参数 15-17 2.2 开关阀的主电路电气构成 17-23 2.2.1 可控硅元件串并联使用 17-18 2.2.2 开关阀保护元件与电路 18-23 2.3 可控硅开关的损耗分析 23-24 2.4 可控硅开关阀的冷却方式 24-25 第三章 开关阀的触发系统 25-32 3.1 触发脉冲的要求 25-26 3.2 电磁式触发系统 26-28 3.3 间接式光触发系统 28-30 3.4 直接式光触发系统 30-32 第四章 开关阀无冲击性涌流投入电容器技术 32-36 4.1 开关阀无过渡投入电容器的条件 32-33 4.2 无冲击性涌流投入电容器的判据 33-34 4.3 “半控式”开关阀实现近似无过渡投入的原理 34-35 4.4 开关阀两端电压的检测 35-36 第五章 可控硅开关控制器设计 36-49 5.1 可控硅开关控制器的硬件设计 36-39 5.2 可控硅开关控制器的主要功能设计及其实现 39-42 5.3 可控硅开关控制器软件设计 42-43 5.4 无功-电压控制器对可控硅开关控制器的控制 43-45 5.5 可控硅开关控制器性能现场测试 45-49 第六章 论文结论 49-51 参考文献 51-54 致谢 54
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中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 电器 > 开关电器、断路器 > 各种开关
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