学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

放电等离子体中XeI准分子形成过程

作　者: 赵晓辉
导　师: 张连水
学　校: 河北大学
专　业: 光学
关键词: XeI准分于 荧光发射谱 放电等离于体 电子温度
分类号: O536
类　型: 硕士论文
年　份: 2001年
下　载: 43次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载
 

内容摘要


本工作在较低气压条件下（0.5—10Torr），对Xe/I2混合气体直流辉光放电和高频介质阻挡放电等离子体中XeI准分子形成过程进行较为详细的研究。通过对放电等离子体中荧光发射谱和电子温度的分析得到了上述两种放电等离子体中XeI准分子的形成机理以及气压变化对准分子形成的影响。实验表明：在两种放电等离子体中主要形成B激发态的XeI准分子，然后XeI（B）向基态跃迁，即B1/2→X1/2跃迁，同时发射紫外荧光。此跃迁属于Bound--Free跃迁，谱线强度具有明显的波动结构，最大峰值出现在253nm附近。XeI准分子在两种放电等离子体中形成机理不同，直流辉光放电等离子体中主要形成通道为：激发态的Xe原子与基态的I2相互作用形成激发态的XeI准分子，随气压变化效率最大值出现在2.5Torr左右；介质阻挡放电等离子体中主要形成通道为：离子态的Xe+与离子态的I2-发生离子复合形成激发态的XeI准分子和I*，随气压变化效率最大值出现在4Torr左右。

全文目录


第一章 绪论  6-10
第二章 实验原理  10-22
  2．1 XeI形成基本原理  10-14
  2．2 直流辉光放电简介  14-17
  2．3 介质阻挡放电简介  17-18
  2．4 荧光发射谱原理  18
  2．5 放电等离子体中电子温度的测量  18-22
    2．5．1 单探针法测量电子温度  19-21
    2．5．2 光谱法测量电子温度  21-22
第三章 实验装置  22-26
  3．1 直流辉光放电的实验装置  22-23
  3．2 高频介质阻挡放电的实验装置  23-24
  3．3 电子温度测量的实验装置  24-26
    3．3．1 单探针法测量电子温度的实验装置  24-25
    3．3．2 光谱法测量电子温度的实验装置  25-26
第四章 实验结果与讨论  26-36
  4．1 直流辉光放电等离子体中XeI形成过程  26-31
  4．2 高频介质阻挡放电等离子体中XeI形成过程  31-36
第五章 结束语  36-38
参考文献  38-40

相似论文

  1. 放电参数对不同频率驱动的容性耦合等离子体影响的研究,O536
  2. 激光微等离子体光谱分析中的基体效应研究,O433.4
  3. 电子离子碰撞nl壳层电离截面的理论研究,O562.4
  4. 46.9nm激光稳定性研究及预电离等离子体状态诊断,O434.1
  5. 滑动弧低温等离子体物理化学特性的数值模拟及实验研究,X703
  6. 微波等离子体产生及甲烷制氢应用初探,O53
  7. 高压电弧图像采集与处理,TP391.41
  8. 形变等离子体中电子温度梯度模的数值研究,O532
  9. 超短脉冲激光烧蚀金属靶,TB301
  10. 尘埃的充电和生长过程对等离子体参数的影响,O53
  11. 微波ECR等离子体探针检测的研究与设计,TM931
  12. 激光烧蚀诱导等离子体光谱实验研究,O433
  13. 介质波导激发微波等离子体和微秒脉冲等离子体的实验研究,O53
  14. 小型感应耦合等离子体源及其等离子体特性,O539
  15. 甚高频激发的容性耦合等离子体的特性测量与分析,O539
  16. HL-2A多道激光汤姆逊散射系统及绝对标定实验,TH744.5
  17. SiGeC HBT特性分析与建模仿真,TN322.8
  18. 利用DEMETER卫星数据提取地震异常的方法初探,P315.72
  19. 不锈钢激光-MAG电弧复合热源焊接工艺及机理研究,TG456.7
  20. ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响,TN304.055

中图分类: > 数理科学和化学 > 物理学 > 等离子体物理学 > 辐射与测量
© 2012 www.xueweilunwen.com