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AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征

作　者: 梁栋
导　师: 张宝顺
学　校: 长春理工大学
专　业: 光学
关键词: 紫外探测器 AlGaN/AlN 日盲缓冲层
分类号: O434.22
类　型: 硕士论文
年　份: 2008年
下　载: 224次
引　用: 1次
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内容摘要

Al_xGa_1-xN半导体材料有着广泛的用途,其中之一是在紫外探测器制作中的应用。Al_xGa_1-xN的带隙从3.4eV到6.2eV,对应的波长范围从365nm到200nm,覆盖了光谱中主要的紫外区。要达到日盲型紫外探测（截止波长小于280nm）,必须使用Al组分高于40%的AlGaN材料作为有源层,作为窗口层的AlGaN材料更需要达到60%左右。由于高Al组分的AlGaN材料生长过程中存在着强气相预反应,因此随着Al组分增加,AlGaN材料的外延生长难度增大,材料晶体质量下降。另外,Al-N键和Ga-N键的键能差别很大,造成晶体生长时Al原子和Ga原子具有不同的表面迁移率,加剧了外延生长难度。本论文采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,进行了表面形貌和晶体质量、以及应变分析、后期器件制作的初步研究等。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-6
目录  6-7
第一章绪论  7-14
  §1.1 引言  7-9
  §1.2 探测器的工作原理及分类  9-11
  §1.3 紫外探测器研究进展  11-13
  §1.4 论文的研究内容  13-14
第二章实验及测试原理  14-25
  §2.1 MOCVD外延技术  14-19
  §2.2 测试方法及其原理  19-25
第三章 AlGaN材料的外延实验及特性研究  25-38
  §3.1 外延实验  25-26
  §3.2 特性研究  26-36
  §3.3 研究结果  36-38
第四章器件的初步研究  38-45
  §4.1 器件制备  38-45
结论  45-46
攻读硕士学位期间发表的学术论文  46-47
致谢  47-48
参考文献  48-49

AlGaN日盲紫外探测器材料生长及表征

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