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磁场的闭合状态对磁控溅射Cr镀层沉积过程影响的研究

作　者: 王伟
导　师: 蒋百灵
学　校: 西安理工大学
专　业: 材料科学与工程
关键词: 磁控溅射闭合状态磁感应强度 Cr镀层
分类号: TG174.4
类　型: 硕士论文
年　份: 2008年
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内容摘要

课题通过调整磁控溅射设备中磁控管磁铁的极性和磁感应强度,形成不同的磁场组合状态,沉积了纯金属Cr镀层。通过对镀层的性能和组织结构的检测分析,研究了磁场的不同的闭合状态和磁感应强度对镀层沉积过程的影响。研究对采用合适的磁场的闭合状态制备性能优异的镀层有重要的应用意义,并且对磁控溅射设备的改进起到一定的指导作用。研究结果表明:随靶基距离增大,镀层厚度减小,而轴向上镀层厚度均匀性越好。完全闭合和半闭合状态下沉积镀层厚度轴向上均匀性较好,在轴向距离—50mm～50mm之间,镀层厚度比较均匀,适合工业生产应用。在相同磁感应强度下,随着磁场闭合程度的增加,沉积镀层由粗大柱状组织变为等轴晶组织,镀层中空隙和缺陷减少,结晶度变好,粗糙度变小,薄膜方块电阻减小。在[111]晶向单晶硅抛光片上,不闭合状态下,Cr镀层以(211)晶面择优生长,半闭合和完全闭合状态,Cr镀层以(110)晶面择优生长。在同一闭合状态下,随着磁感应强度的增加,沉积镀层由柱状组织变为等轴晶组织,镀层中空隙和缺陷减少,结晶度变好,粗糙度变小,薄膜方块电阻减小。三种磁感应强度下,在[111]晶向单晶硅抛光片上,Cr镀层都以(110)晶面择优生长。

磁场的闭合状态对磁控溅射Cr镀层沉积过程影响的研究

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