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嵌入式闪存测试技术研究

作　者: 任栋梁
导　师: 肖鹏程
学　校: 复旦大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 嵌入式闪存测试测试向量测试稳定性测试成本测试时间
分类号: TP333
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 49次
引　用: 1次
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内容摘要

众所周之,存储芯片本身在市场竞争中就异常激烈,大部份国内外芯片制造厂(FAB)都具备存储芯片制造的能力,从目前的趋势来看,测试是影响价格的最关键因素之一,所以如何降低测试成本,是一个需要长期重视的问题。同时也需要兼顾提高测试效率和测试可靠性。本文作者所在公司主要生产0.13μm工艺嵌入式闪存(E-Flash),结合日常的嵌入式闪存芯片测试工作,和辅助工艺整合部门和器件设计部门人员对嵌入式闪存(E-Flash)进行的改良研究,得到了大量的工程测试数据。对新设计的电路和工艺进行参数和功能测试检查,使本款嵌入式闪存IP模块最终符合各项期望参数指标并满足量产的需求,并得出了许多新的测试方法。首先,结合电路设计,列举了各种BIST(Built-in Self-test,内建自测试电路)设计的特点,芯片管脚数量的限制,主要的管脚功能以及各种电路设计给测试所带来的优缺点。根据实际所需,提供相应的最佳测试方案,同时也提到了一些常用的测试方法及测试参数,并对其进行了分析和研究,从而让大家理解到测试方法和参数之间所存在的相互制约的作用,得出了相关缺陷检查和弥补的方法。其次,结合器件的工作特性,特别是对嵌入式闪存写操作工作特性进行了着重分析。从理论到实践,借用传统测试方法,尝试调整某些工艺参数,不断提高器件的工作稳定性和扩大参数的正常工作区域,最终达到有效提高成品率的目的。再次,结合量产中的工程改进,针对优化测试程序所需要的缩短测试时间、优化测试流程及提高测试覆盖率问题,研究出一套完善的测试方法和验证手段。最终,虽然本文中所列述的大部份的工程实际问题都已经基本解决,但本文作者对于这些问题的延伸和工程运用及拓展研究,还需要进一步去证实和优化。同时,这些研究对存储芯片测试研究领域具有一定的借鉴作用,可以对将来相同的案例有所帮助。

全文目录

摘要  4-5
Abstract  5-7
第一章引言  7-13
  1.1 论文研究的目的和意义  8-9
  1.2 国内外研究的背景和现状  9-11
  1.3 课题来源与论文结构  11-13
第二章嵌入式闪存功能结构与测试方法概述  13-25
  2.1 嵌入式闪存的功能结构  13-15
  2.2 嵌入式闪存测试简介  15-19
    2.2.1 嵌入式闪存测试的基本概念  15-17
    2.2.2 嵌入式闪存测试框架  17-19
  2.3 嵌入式闪存的测试原理  19-22
    2.3.1 测试平台与环境要求  20-21
    2.3.2 测试流程及关键步骤  21-22
  2.4 嵌入式闪存常见的测试问题  22-24
  2.5 本章小节  24-25
第三章嵌入式闪存的电路设计与测试  25-36
  3.1 BIST电路设计及测试方案  25-31
    3.1.1 并行测试接口方案  25-26
    3.1.2 半并行测试接口方案  26-27
    3.1.3 串口测试接口方案  27-28
    3.1.4 测试方案的研究及选用  28-31
  3.2 电路关键参数的设计规格与评估  31-32
  3.3 电路缺陷的检查及弥补方法  32-34
  3.4 程序测试向量的设计过程  34-35
  3.5 本章小节  35-36
第四章嵌入式闪存的存储单元工艺与测试  36-47
  4.1 存储单元的工艺结构  36
  4.2 存储单元的测试方法研究  36-37
  4.3 工艺关键参数的设计规格与评估  37-38
  4.4 工艺缺陷的检查及弥补方法  38-44
    4.4.1 Idp的调节对于写操作的改善作用  38-41
    4.4.2 Vwl-pgm对于写操作的影响作用  41-44
  4.5 程序测试向量的设计过程  44-46
  4.6 本章小节  46-47
第五章嵌入式闪存的量产测试  47-61
  5.1 测试目标的制定  47-48
  5.2 量产流程的制定及发布  48-49
  5.3 缩减测试时间  49-54
    5.3.1 提升测试频率  49
    5.3.2 测试模式替代用户模式  49-52
    5.3.3 同测数能力的扩展  52-54
  5.4 优化测试方法  54-56
    5.4.1 测试效率及覆盖率的提高  54
    5.4.2 测试稳定性的提高  54-56
  5.5 成品率的监控与管理  56-60
  5.6 本章小节  60-61
第六章总结与展望  61-63
  6.1 总结  61-62
  6.2 展望  62-63
致谢  63-64
参考文献  64-66

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