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一种低压差线性稳压器的设计

作 者: 袁莹莹
导 师: 常玉春
学 校: 吉林大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: LDO 无片外电容 瞬态响应 电源抑制比
分类号: TM44
类 型: 硕士论文
年 份: 2010年
下 载: 110次
引 用: 1次
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内容摘要


随着便携式电子产品的快速发展,电源管理的地位越来越显重要。低压差线性稳压器(LDO)是电源管理中的一种,由于其具有结构简单,外接元件少,静态电流小,低噪声,响应快,价格低等优点,被广泛的应用于笔记本电脑、手机、MP3、数码相机和汽车电子等设备中。众所周知,集成化是半导体产品发展的一大趋势。而传统的LDO在输出端有一个很大的电容,不利于系统集成。因此,对无片外电容LDO的研究很有必要。本论文完成了一种无片外电容LDO的分析与设计。本文主要从稳定性,负载瞬态响应电源抑制比(PSRR)三个方面对LDO进行了详细的分析,同时提出一种新的电源抑制比提高的方法。用一个电源抑制比增强网络来控制系统的反馈因子β,实现系统PSRR零点的增大,从而提高系统中频带的PSRR。该LDO采用Chartered 0.35um CMOS工艺设计,并用Cadence软件进行仿真。最终实现的无片外电容LDO只需要0.5pF的电容,完全可以在片内集成。输入电压范围为3V到5V,输出电压为2.8V,电压差为200mV,静态电流为58.5uA。最大的负载电流为50mA。本文设计的LDO具有良好的负载瞬态响应和电源抑制比特性。当负载电流瞬间变化时,输出电压过冲小于70mV。当输入电压最小时,PSRR在10kHz时大于-90dB,在1MHz时大于-45dB。本文设计中使用的结构和方法具有一定普遍性,当设计指标改变时,可以根据文中的方法很快设计出满足要求的产品,有很好的实际意义。

全文目录


内容提要  4-9
第一章 绪论  9-12
  1.1 电源管理的分类  9-10
  1.2 LDO的研究现状  10
  1.3 本文的主要内容  10-12
第二章 传统LDO的分析  12-25
  2.1 LDO的基本原理及性能参数  12-16
    2.1.1 LDO的基本原理  12-13
    2.1.2 LDO的主要性能参数  13-16
  2.2 传统LDO的性能分析  16-24
    2.2.1 传统LDO的稳定性  16-18
    2.2.2 传统LDO的负载瞬态响应  18-20
    2.2.3 传统LDO的电源抑制比  20-24
  2.3 无片外电容LDO的研究意义和难点  24-25
第三章 带隙基准电压源的分析与设计  25-38
  3.1 带隙基准电压源的工作原理  25-26
  3.2 带隙基准电压源PSRR的提高  26-28
  3.3 带隙基准电压源电路的设计  28-35
    3.3.1 偏置电路  28-30
    3.3.2 启动电路  30-31
    3.3.3 误差放大器  31-35
  3.4 带隙基准电压源的仿真结果  35-38
第四章 无片外电容LDO的分析与设计  38-58
  4.1 无片外电容LDO的稳定性  38-40
  4.2 无片外电容LDO的负载瞬态响应  40-42
  4.3 无片外电容LDO的电源抑制比  42-51
    4.3.1 电源抑制比的分析  42-45
    4.3.2 电源抑制比增强网络  45-51
  4.4 整体无片外电容LDO的电路与仿真结果  51-58
第五章 结论  58-59
参考文献  59-61
致谢  61-62
摘要  62-64
Abstract  64-65

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中图分类: > 工业技术 > 电工技术 > 变压器、变流器及电抗器 > 稳定器
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