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深亚微米LDD MOSFET器件热载流子效应研究

作　者: 饶伟
导　师: 柴常春
学　校: 西安电子科技大学
专　业: 微电子学与固体电子学
关键词: 热载流子效应 LDD MOSFET 衬底电流模型 可靠性
分类号: TN386
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 97次
引　用: 2次
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内容摘要


随着VLSI制造技术向深亚微米方向快速发展,热载流子效应导致了MOSFET电路系统的可靠性问题。本文所研究的LDD MOSFET器件是深亚微米器件可靠性加固的理想结构,能够有效抑制热载流子效应。本论文在典型短沟MOSFET器件模型基础上建立了适用于深亚微米LDD MOSFET的简捷模型。从热载流子的产生和注入机制入手,分析了在不同偏置下的热载流子效应,并且在幸运电子模型的基础上导出了栅电流模型。重点分析了衬底电流的机理,在I-V特性模型的基础上建立了适用于LDD MOSFET器件的衬底电流模型,其中对特性长度这一非常重要的参数做了改进描述,使之更适合分析薄栅深亚微米器件的衬底电流特性。本论文对LDD MOSFET器件进行了仿真分析,探讨了LDD MOSFET器件工艺参数对热载流子效应的影响。提出了LDD MOSFET器件热载流子退化的物理解释,并进行了DAHC和CHC应力条件研究。最后通过对DD MOSFET延伸结构(DDD MOSFET,MLDD MOSFET,ITLDD MOSFET,PLDD MOSFET,BLDD MOSFET)的热载流子研究,展开探讨了不同器件结构对器件可靠性的影响。

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件
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