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辅助图形在工艺窗口OPC模型中的应用以及广义OPC的概念

作　者: 周从树
导　师: 顾志光；顾以理
学　校: 复旦大学
专　业: 电子与通信工程
关键词: 分辨率增强技术光学临近效应修正光学和工艺临近效应修正可制造性设计
分类号: TN305
类　型: 硕士论文
年　份: 2009年
下　载: 28次
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内容摘要

随着半导体工业的图形化工艺进入100纳米以下的范畴,分辨率增强技术(RET),如光学临近修正(OPC),已成为补偿物理设计者的设计图形与光刻工程师光刻出的图形间的失真的标准手段。普遍认为服务于制造的设计(DFM)是光刻线条修正及光学临近修正领域的关键词之一,它减少了设计和制造之间的复杂交互。DFM强有力地进入到硅芯片制造流程中的不同阶段,通常在生产周期中的不同时间点,以及工艺设备和测量仪器中。本论文中,提出了OPC RET方法可以整合到芯片制造流程中,这包括基于工艺窗口的两次曝光技术以及与基于窗口的OPC模型。以迎合不断缩小的特征尺寸带来的挑战。这篇论文还提出了广义的OPC概念,即光学和工艺临近效应修正。随着半导体工业向着更小的关键尺寸方向发展,需要使用更复杂的修正方法,以确保晶圆和掩模版制造的目标公差。提出了一种DFM探索,用以补偿工艺临近效应,它涵盖了厚光刻胶到测量仪器。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-5
第一章引言  5-16
  1.1 光刻工艺简介  5-7
  1.2 影像失真(image distortion)  7-9
  1.3 OPC修正方法  9-11
    1.3.1 最大限度地控制线宽  10
    1.3.2 减小线端缩短  10-11
  1.4 OPC修正的执行方案  11-13
    1.4.1 基于规则的修正  11-12
    1.4.2 基于模型的修正  12-13
  1.5 OPC的发展演变  13-16
第二章辅助图形在工艺窗口OPC模型中的应用  16-34
  2.1 基于制程窗口的两次曝光技术  16-21
    2.1.1 光刻工艺中的瓶颈  16-18
    2.1.2 添加辅助图形进行双重曝光  18-21
  2.2 PWMOPC的建立  21-33
    2.2.1 深亚微米光刻模型建立的理论基础  21-25
    2.2.2 PWMOPC模型的由来  25-28
    2.2.3 PWMOPC模型中关键参数的定义  28-30
    2.2.4 PWMOPC模型的操作方法  30-33
  2.3 本章小结  33-34
第三章广义OPC的概念  34-42
  3.1 厚光刻胶所带来的套准精度的挑战  34-41
    3.1.1 厚光刻胶套准问题的根源  35-37
    3.1.2 OPC的概念在提高套准精度上的应用和广义OPC概念的提出  37-41
  3.2 本章小结  41-42
第四章论文总结  42-43
参考文献  43-49
致谢  49-50

辅助图形在工艺窗口OPC模型中的应用以及广义OPC的概念

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