学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和解决

作　者: 尤美琳
导　师: 朱亦鸣；马清杰
学　校: 上海交通大学
专　业: 集成电路工程
关键词: AlSiCu 刻蚀后残留物清洗空洞
分类号: TN405
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 15次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

随着半导体制造工艺技术的提高和成本的降低,集成电路产品越来越广泛地应用到大众生活的方方面面中。AlSiCu有着良好导电性和导热性等优良性质,且成本低廉,制造工艺简便,因此被广泛应用于一般集成电路产品的制造中。AlSiCu互连线使用干法刻蚀来制造,出于各向异性的需要,在刻蚀后金属互连线的侧壁会有刻蚀后的反应物残留,需要刻蚀后的清洗工艺将刻蚀反应后的残留金属,金属化合物和其他离子和有机聚合物去除掉。本文中,我们将对金属刻蚀后残留物的清洗方式进行研究,并对产生的问题加以分析和解决。1.研究不同清洗方式对清洗效果的影响。清洗的原理可以分为溶解去除和剥离去除两种,对于不同的工艺要求和设备条件,这两种方法各有优缺点。本文将根据公司的实际情况,找出合理的清洗方式,达到去除刻蚀后残留物的目的。2.研究清洗后金属表面空洞的问题的产生原因并加以解决。本公司的金属后清洗工艺,金属表面会产生空洞,从而对产品的可靠性造成影响。本文将分析空洞产生的机理和原因,对这一问题予以解决。并对生产中产生的实际问题,将解决方案进行优化,以确保公司的生产。

全文目录

摘要  3-5
ABSTRACT  5-11
第一章引言  11-22
  1.1 半导体器件概述  11-13
    1.1.1 金属氧化物半导体电路介绍  11-12
    1.1.2 双极型电路介绍  12-13
  1.2 半导体金属互连线的介绍  13-16
    1.2.1 铜互连线的介绍  13-15
    1.2.2 铝硅铜互连线的介绍  15
    1.2.3 铝硅铜互连线的可靠性  15-16
  1.3 铝硅铜互连线的工艺介绍  16-20
    1.3.1 铝硅铜互连线工艺流程的介绍  16-17
    1.3.2 铝硅铜互连线刻蚀工艺的介绍  17-20
  1.4 课题的提出  20-22
第二章金属后清洗方法的介绍和对比  22-30
  2.1 金属后清洗方法的介绍  22-23
  2.2 金属后清洗方法存在的问题  23-24
  2.3 金属后清洗方法的改进  24-28
    2.3.1 新旧清洗方法的对比  24-26
    2.3.2 新清洗方法产生的问题分析  26-28
  2.4 本章小结  28-30
第三章金属后清洗问题的分析和解决  30-45
  3.1 金属后清洗问题产生的原因研究  30-35
    3.1.1 铝硅铜合金结构的分析  30-32
    3.1.2 腐蚀机理的分析  32-35
  3.2 金属后清洗问题的解决  35-43
    3.2.1 提高金属互连线的质量  35-38
    3.2.2 改善金属表面的状况  38-41
    3.2.3 从清洗工艺上来提高  41-43
  3.3 本章小结  43-45
第四章金属后清洗问题的优化  45-49
  4.1 对实际作业情况的优化  45-46
  4.2 多批次作业的优化  46-47
  4.3 本章小结  47-49
第五章结束语  49-51
参考文献  51-53
致谢  53-54
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文  54-55
上海交通大学学位论文答辩决议书  55-57

金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和解决

内容摘要

全文目录

相似论文