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BiFeO_3薄膜的老化与漏电抑制
作 者: 程玲
导 师: 胡广达
学 校: 济南大学
专 业: 材料物理与化学
关键词: 铁电薄膜 BiFe03 离子掺杂 压电系数 老化 漏电
分类号: TB43
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
BiFeO3由于其具有良好的铁电和压电性,沉积温度较低(低于600℃),在数据存储和做电子机械系统应用上有很大发展前景。众所周知,BiFeO3具有高居里点温度(Tc=850℃),所以在薄膜沉积和快速退火过程中不可避免要发生老化现象。BiFeO3薄膜中的老化现象已经被证明与受主缺陷(A2+Fe3+)’和氧空位(Vo2)’’g形成缺陷对(A2+Fe3+)—(VO2-)’’有关。缺陷对所形成的局部电场阻碍了铁电畴的翻转,从而导致了在老化的BiFeO3薄膜中压电和介电常数、电荷保持能力、剩余极化等部将被降低。另一方面,BiFeO3薄膜同时遭受严重的漏电问题,这使加在薄膜上的有效电压大大降低了。因此,薄膜很容易被击穿,对薄膜的电学测试影响很大,很难测得好的性能。很明显,老化和漏电部与(Vo2-)’’有关,所以消除(Vo2-)’’是同时解决这两个问题的有效途径。从缺陷化学的角度上来分析,采用高价离子掺杂是一种消除(Vo2-)’’含量的有效方法。本论文采用金属有机分解法,通过层层退火工艺制备了掺W6+以及Cu2+和w6+共掺的BiFeO3薄膜,研究了其结构和电学性能(尤其压电性)。主要研究内容如下本论文所选用的主要电极材料为LaNi()3,其与BiFeO3均为钙钛矿结构且晶格常数相近,非常有利于BiFeO3薄膜的生长。在si衬底上研究了不同的聚乙二醇含量,预处理温度和退火温度对LaNi()3薄膜表面形貌的影响,选择出来最佳的工艺条件分别为O.36g,425℃,650℃。用此工艺制备了厚度为150nm的f100)取向的kiNi()3薄膜,结晶度非常好,并且没有杂峰的产生,电阻率为5×10-4~1×10-3Ω·cm,非常适合作电极材料。随后在LaNi()3(100)/si衬底上制备了(100)取向的Bifeo3外延膜。薄膜中的(100)和(200)衍亍射峰均很强并且没有任何其他衍射峰产生。在LaNi()3(100)/si衬底上制备了掺杂高价离子W6+的BiFeO3的外延膜,研究了不同W6+掺量(O~2%)对BF0薄膜的结构、漏电、铁电及压电性的影响。结果发现随着W6+掺量的增加(<2%),BiFeO3薄膜的性质有所改善,比如漏电降低,矫顽场变小并且对称性变好,剩余压电系数变大,最大可达132pm/v。这是由于w6+掺杂有效的减少了(VO2-)’’含量从而达到了同时降低漏电和去老化的作用。Bife0.995w0.005O3薄膜和:BiFe0.99w0.01O3薄膜中的铁电畴均可被完全翻转,但由于两薄膜中非180。畴含量的不同,所以后者的压电系数比前者大。当掺量增加到2%摩尔时,所制备的(100)取向的BiFe0.98w0.02O3外延膜中有少数做弱杂峰的出现并且铁电性和压电性开始减弱。这是由于W6+掺量过高限制了晶粒的生长,从而产生了更多缺陷,使W6+掺杂抑制BiFeO3薄膜老化的作用下降。在LaNi()3(100)/si衬底上制备了不同退火温度的BiFe0.995w0.005O3薄膜,研究了退火温度对BiFe0.995w0.005O3薄膜的结构,压电性能的影响。研究发现薄膜在450℃退火温度下就能结晶并且晶化程度很好。在.450℃、475℃、500℃的退火温度下BiFe0.995w0.005O3薄膜的铁电畴均可以被极化翻转。但是压电响应的大小、均匀性和信噪比有所差别,475℃退火的BiFe0.995w0.005O3薄膜剩余压电系数最大,可达134pm/v。但是它的压电响应均匀性和信噪比不如450℃和500℃退火制备的BiFe0.995w0.005O3薄膜的好。这主要由于前者主要是非180。畴和180。畴的共存,后两者分别主要含有非180。畴和180。畴。在IT0/glass和kLNi()3(100)/si衬底分别制备了BiFe0.995cu0.005O3,BiFe0.995w0.005O3,Fe0.99cu0.005w0.005O3薄膜,研究了这两个系列薄膜的结构和压电性能的区别。结果发现在IT0/glass衬底上制备的多晶膜中,很多铁电畴没有被翻转,性能部比较差,共掺的薄膜漏电较低,所以极化相对最好。在LaNi()3(100)/si衬底上制备的外延膜中均具有很强的(100)和(200)衍射峰。其中,BiFe0.995cu0.005O3薄膜中由于老化严重,所以薄膜的压电性最差。BiFe0.99cu0.005w0.005O3和BiFe0.995w0.005O3薄膜由于W6+的掺杂抑制了老化,铁电畴均可被完全翻转,前者的压电响应均匀性和信噪比均比后者好,但由于cu2+的掺量选择过高,所以前者中的非180。畴的畴壁运动受到缺陷对形成的局部电场的限制,所以压电系数不如后者的大。总之,本论文通过高价离子W6+的掺杂解决了薄膜的漏电和老化问题,这将使BiFeO3薄膜在做电子器件尤其高温压电器件应用上具有更广阔的发展前景。
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全文目录
摘要 8-10 ABSTRACT 10-14 第一章 绪论 14-26 1.1 多铁性材料 14-16 1.1.1 物质的铁电性 14-15 1.1.2 物质的铁磁性 15-16 1.2 BiFe0_3材料的概况 16-24 1.2.1 BiFeO_3的结构 16-17 1.2.2 BiFe0_3材料的研究进展 17-18 1.2.3 BiFe0_3薄膜存在的主要问题及解决办法 18-23 1.2.4 BiFe0_3薄膜可能的应用 23-24 1.3 本论文的主要研究工作 24-26 第二章 实验方案设计与研究方法 26-34 2.1 实验原料和所需设备 26-27 2.2 铁电薄膜的制备 27-30 2.2.1 铁电薄膜制备工艺 27 2.2.2 前驱体溶液的配制 27-28 2.2.3 制备 BiFe0_3-基薄膜的工艺流程 28-30 2.3 性能测试方法 30-34 2.3.1 X 射线衍射分析 30 2.3.2 铁电性能测试 30-31 2.3.3 原子力显微镜 31-34 第三章 LaNi0_3(100)/Si 电极的制备 34-41 3.1 前驱体中聚乙二醇含量对LaNiO_3薄膜形貌影响 34-35 3.2 预处理温度对LaNi0_3薄膜形貌影响 35-36 3.3 退火温度对LaNi0_3薄膜形貌影响 36-37 3.4 用最优工艺制备的LaNi0_3薄膜 37-39 3.4.1 LaNi0_3薄膜 XRD 图谱分析 37-38 3.4.2 LaNi0_3薄膜的形貌分析 38-39 3.5 沉积在 LaNi0_3(100)/Si 电极上的 BiFe0_3薄膜 XRD 图谱 39-40 3.6 小结 40-41 第四章 BiFe_(1-x)W_x0_3薄膜的结构和电学性能的研究 41-54 4.1 BiFe_(1-x)W_x0_3薄膜的结构分析 42-43 4.2 BiFe_(1-x)W_x0_3薄膜的形貌分析 43-45 4.3 BiFe_(1-x)W_x0_3薄膜的漏电分析 45-46 4.4 BiFe_(1-x)W_x0_3薄膜的铁电分析 46-47 4.5 BiFe_(1-x)W_x0_3 WO薄膜的压电分析 47-52 4.6 小结 52-54 第五章 退火温度对 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜的影响 54-62 5.1 退火温度对 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜结构的影响 55-56 5.2 退火温度对 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜压电性能的影响 56-60 5.2.1 退火温度的 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜压电响应图 56-57 5.2.2 退火温度的 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜剩余压电系数 57-59 5.2.3 退火温度的 BiFe_(0.995)W_(0.005)0_3薄膜压电响应深度柱状图 59-60 5.3 小结 60-62 第六章 沉积到不同氧化物电极上的 Cu 和 W 共掺对 BiFe0_3薄膜的影响 62-73 6.1 在 ITO/glass 衬底上 Cu 和 W 掺杂对 BiFeO_3薄膜结构的影响 63-64 6.2 在 ITO/glass 衬底上 Cu 和 W 掺杂对 BiFe0_3薄膜压电的影响 64-67 6.3 在 LaNi0_3(100)/Si 衬底上 Cu 和 W 掺杂对 BiFe0_3薄膜结构的影响 67-68 6.4 在 LaNi0_3(100)/Si 衬底上 Cu 和 W 掺杂对 BiFe0_3薄膜压电的影响 68-71 6.5 小结 71-73 第七章 结论与展望 73-75 7.1 主要研究结论 73 7.2 主要创新点 73-74 7.3 工作展望 74-75 参考文献 75-82 致谢 82-83 附录 83-84
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中图分类: > 工业技术 > 一般工业技术 > 工业通用技术与设备 > 薄膜技术
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