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有机磁阻效应的探索
作 者: 陈黎暄
导 师: 滕枫
学 校: 北京交通大学
专 业: 光学
关键词: 有机磁阻效应 OMR 激子模型 三重态 顺磁中心
分类号: TN383.1
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
下 载: 21次
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内容摘要
摘要:自旋电子学主要利用电子自旋,研发新一代电子产品,而传统的技术往往利用电荷来控制器件。它是凝聚态和材料物理研究的一个前沿领域。而有机磁阻效应作为自旋电子学的一个分支,正受到越来越多的关注。本文制备了传统结构的三明治型有机器件,通过采用不同活性层材料,以及加入载流子传输层,观测了这些器件的有机磁阻(OMR)效应,并分析了这些因素对OMR效应的影响,以及激子模型和三重态—顺磁中心相互作用模型。具体的研究内容包括以下几个方面:首先,基于ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al的器件结构,测量并分析了器件磁阻随电压和磁场变化的曲线。在电压处于0-6V区间,电流变化率曲线有一个先上升后下降的过程,电流变化率在15%左右。用P3HT替换MEH-PPV,分析了两种器件磁阻随电压变化曲线的异同。认为这两种器件结果存在的差异来源于P3HT和MEH-PPV不同的电子迁移率,从而导致的低压下器件中激子形成几率的差异。其次,通过制备ITO/PEDOT/Alq3/LiF:Al器件,测量并分析了其磁阻随电压和磁场变化的曲线。通过在电极和活性层之间加入空穴阻挡层BCP或电子传输层C60,观察到OMR效应的变化,加入BCP材料的器件在6V电压,120 mT磁场下的电流变化率从9%增长到约14%。这与器件中激子的形成存在联系。不论是聚合物还是小分子作为活性层,器件的磁阻随电压变化的曲线都存在不止一个极值。最后,基于ITO/PEDOT/C60/Al结构的器件,研究了以不发光材料C60为活性层的器件的OMR效应,实验结果与Desai等人关于OMR效应只存在于发光器件中的推断有不一致的地方。据此认为OMR效应是基于多种机制共同竞争的结果。在低压时bipolaron model可以较好地解释实验结果,随电压增高excitonic model逐渐占主导地位。OMR效应的机理是一个复杂的过程。
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全文目录
致谢 3-4 中文摘要 4-5 ABSTRACT 5-9 1.引言 9-13 1.1 OMR的定义和分类 9-10 1.2 OMR的研究进展 10-13 2.OMR效应的机理和模型 13-19 2.1 自旋-轨道耦合与超精细相互作用 13-14 2.1.1 自旋-轨道耦合相互作用 13 2.1.2 超精细相互作用 13-14 2.2 MIST模型(magnetoresistance by the interconversion of singlets and triplets) 14-16 2.2.1 激子 14-15 2.2.2 空间电荷限制电流 15 2.2.3 磁场对β的调控 15-16 2.3 Excitonic模型和Bipolaron模型 16-19 2.3.1 Excitonic模型 16-18 2.3.2 Bipolaron模型 18-19 3. 聚合物器件的OMR效应 19-36 3.1 实验准备部分 19-20 3.1.1 器件的结构 19 3.1.2 衬底清洗和器件制备 19-20 3.1.3 测试手段 20 3.2 基于MEH-PPV活性层的器件 20-33 3.2.1 PEDOT:PSS材料的OMR效应 20-21 3.2.2 MEH-PPV的OMR效应 21-26 3.2.3 实验结果与讨论 26-33 3.3 基于P3HT活性层的器件OMR效应的观测 33-35 3.3.1 基于P3HT活性层器件的OMR效应 33-34 3.3.2 P3HT活性层的器件与MEH-PPV活性层器件OMR效应的比较 34-35 3.4 本章小结 35-36 4. 有机小分子器件的OMR效应 36-50 4.1 Alq_3器件的OMR效应研究 36-39 4.1.1 器件的制备和测试 36 4.1.2 Alq_3器件的OMR效应 36-39 4.2 增强载流子迁移率对器件OMR效应影响的研究 39-45 4.2.1 加入BCP空穴阻挡层的Alq_3器件 39-42 4.2.2 加入C_(60)电子传输层的Alq_3器件 42-45 4.3 单层C_(60)活性层器件的结果 45-49 4.4 本章小结 49-50 第五章 结论 50-51 参考文献 51-54 作者简历 54-56 学位论文数据集 56
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
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