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材料分析技术在集成电路工艺中的应用

作 者: 郭炜
导 师: 吴裕功;李日鑫
学 校: 天津大学
专 业: 电子与通信工程
关键词: 光学显微镜 扫描式电子显微镜 X光能谱分析仪 透射式电子显微镜 聚焦式离子束显微镜 扫描式俄歇电子显微镜
分类号: TN405
类 型: 硕士论文
年 份: 2009年
下 载: 64次
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内容摘要


IC产业发展到今天的阶段,材料分析技术已成为任何一个先进的IC代工厂中不可或缺的研究、分析工具。尤其是当制程逐步向深亚微米发展,沉积的薄膜越来越薄,影响器件性能的Defect越来越小时,对于分析工具解析度的要求也越来越高。SEM,TEM,FIB高解析度、高精确度的优点,使得其在IC工艺监控、失效分析等方面的应用愈发普遍和重要。近年来国内外在半导体元器件失效分析领域采用了一些新的分析技术和手段,如:光学显微镜,扫描电子显微镜、透射电子显微镜、聚焦式离子束显微镜、扫描式俄歇电子显微镜等,这些技术和手段的应用极大地推动了电子元器件失效分析技术的发展,使失效机理研究工作进一步深化。本文结合手机电源管理器芯片漏电失效的案例。就上述这些技术的发展、原理、特点和应用进行了综述和评价.

全文目录


中文摘要  3-4
Abstract  4-6
第一章 概论  6-10
  1 1 IC 产业概述  6
  1 2 常用的材料分析技术  6-10
第二章 材料分析技术  10-28
  2 1 光学显微镜(Optical Microscopy, OM)  10-11
  2 2 扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscopy, SEM)  11-15
  2 3 X 光能谱分析仪(X-ray Spectrometry)  15-18
  2 4 透射式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy, TEM)  18-21
  2 5 聚焦式离子束显微镜(Focused Ion beam, FIB)  21-23
  2 6 扫描式俄歇电子显微镜(Scanning Auger Microscopy, SAM)  23-28
第三章 材料分析技术在芯片失效分析实验中的常规应用  28-40
  3 1 光学显微镜在失效分析实验中的应用  28-29
  3 2 扫描式电子显微镜在芯片工艺监控及失效分析实验中的应用  29-32
  3 3 X 光能谱分析仪在芯片失效分析实验中的应用  32-33
  3 4 透射式电子显微镜在芯片工艺监控及失效分析实验中的应用  33-36
  3 5 聚焦式离子束显微镜在芯片工艺监控及失效分析实验中的应用  36-38
  3 6 扫描式俄歇电子显微镜在芯片失效分析实验中的应用  38-40
第四章 材料分析技术对提高芯片良品率的分析实验  40-45
  4 1 手机电源管理器芯片CP 测试leakage 失效分析实验  40-44
  4 2 小结  44-45
第五章 总结和展望  45-46
参考文献  46-47
致谢  47

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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 制造工艺
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