学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

氮杂环类化合物在电喷雾质谱中的裂解机理研究

作 者: 尤珠双
导 师: 潘远江
学 校: 浙江大学
专 业: 化学
关键词: 电喷雾质谱 裂解机理 量化计算 含脯氨酸三肽 离子/中性复合物 质子桥连复合物 解离质子化位点 分子内质子迁移 电子迁移 骨架重排
分类号: O657.63
类 型: 硕士论文
年 份: 2012年
下 载: 27次
引 用: 0次
阅 读: 论文下载
 

内容摘要


质子化是电喷雾电离的主要途径,质子化离子的碎裂反应是电喷雾串联质谱(ESI-MSn)应用于分子结构研究的基础。因此,关于质子化离子裂解反应的机理研究与规律总结一直十分重要。本论文采用电喷雾串联质谱技术结合量子化学理论计算,考察N杂环类化合物的气相离子化学行为,总结其裂解规律。其主要内容包括以下两部分:1.质子化含脯氨酸三肽的产物离子在电喷雾质谱中的裂解机理研究研究了质子化脯氨酸三肽(甘氨酰脯氨酰甘氨酸、脯氨酰甘氨酰甘氨酸和脯氨酰脯氨酰甘氨酸)的主要产物离子在电喷雾质谱中的解离机理,主要讨论了a2离子的形成和裂解过程。密度泛函理论计算表明a2离子的环状结构在能量上比其线性结构更加稳定,这与近年文献结果相一致。三肽结构中的脯氨酸对b2离子产生a2离子的解离反应过程的反应势能分布有较大影响,脯氨酸可以大大稳定离子结构使之能量降低。GPG和PPG的a2离子的裂解产生了a1离子和内亚胺离子两种产物离子,相比之下PGG的a2离子只裂解产生al离子。其机理推测是GPG和PPG的a2离子经碰撞活化丢失一分子CO后形成的离子/中性复合物INC-A,一方面可以直接分裂生成a1离子,另一方面也可以经由质子桥连复合物介导的分子内质子迁移形成INC_B, INC_B再裂解产生内亚胺离子RCH=NH2+,而PGG中则不发生质子迁移因而没有内亚胺产物离子。此复合物内的质子迁移反应取决于三肽氮端和中间的氨基酸中亚胺部分的质子亲和势。2.N-(2-吡啶甲基)-吲哚在电喷雾质谱中的气相裂解反应研究N-(2-吡啶甲基)-吲哚化合物是一类重要的药物分子,其衍生物已用作新型的前列腺素受体拮抗剂及组蛋白脱乙酰酶抑制剂等。该化合物的外加质子可以在分子中多个位点之间流动,且可以与分子内氢发生氢交换反应。DFT计算结果表明吡啶氮是目标化合物在气相状态下的最有利的质子化位点,质子由初始化位点可以经过一系列质子迁移到多个“解离的质子化位点”,如吲哚氮、吡啶C2等,从而引发裂解反应。该化合物在电喷雾质谱中的裂解反应过程中存在着以离子/中性复合物介导的质子迁移反应、单电子迁移反应和发生在复合物离子部分的重排反应。当外加质子经过1,4-氢迁移转移到吲哚氮上时引发N-C键断裂形成[2-吡啶甲基阳离子/吲哚]复合物,此复合物发生直接分裂和电子迁移反应分别得到2-吡啶甲基阳离子(m/z 92)与吲哚自由基离子(m/z 117)。另外,当外加质子经过一系列质子迁移转移至吡啶C2位上时引发C-C键断裂形成[1-吲哚甲基阳离子/吡啶]复合物,该复合物直接分裂得到1-吲哚甲基阳离子(m/z 130),其离子部分又发生了重排反应而异构化成另外一个新的[质子化喹啉/吡啶]复合物,从而产生质子化喹啉(m/z 130)和吡啶离子(m/z 80)。

全文目录


摘要  3-5
Abstract  5-7
目录  7-9
第1章 绪论  9-29
  1.1 电喷雾质谱技术简介  9-12
  1.2 质子化和质子迁移  12-16
    1.2.1 解离的质子化位点  12-14
    1.2.2 流动质子模型  14-15
    1.2.3 双氢迁移  15-16
    1.2.4 氢氘交换  16
  1.3 离子/中性复合物的研究进展  16-21
    1.3.1 离子/中性复合物简介  17
    1.3.2 基于离子/中性复合物的反应  17-21
  1.4 计算化学  21-22
  参考文献  22-29
第2章 质子化脯氨酸三肽的产物离子在电喷雾质谱中的裂解机理研究  29-51
  2.1 概述  29-31
  2.2 实验部分  31-34
    2.2.1 样品与试剂  31-32
    2.2.2 电喷雾质谱  32-33
    2.2.3 论计算  33-34
  2.3 结果与讨论  34-45
    2.3.1 a_2离子的形成和结构  36-39
    2.3.2 a_2离子的碎裂:离子/中性复合物介导的分子内质子迁移反应  39-45
  2.4 本章小结  45-46
  参考文献  46-51
第3章 N-(2-吡啶甲基)-吲哚在电喷雾质谱中的裂解反应研究  51-77
  3.1 概述  51-52
  3.2 实验部分  52-54
    3.2.1 样品与试剂  52-53
    3.2.2 电喷雾质谱  53-54
    3.2.3 理论计算  54
  3.3 结果与讨论  54-72
    3.3.1 质子化离子的碎裂反应  54-57
    3.3.2 质子化位点与质子迁移反应研究  57-60
    3.3.3 离子/中性复合物介导的电子迁移反应  60-63
    3.3.4 离子/中性复合物介导的质子迁移和重排反应  63-72
  3.4 本章小结  72-74
  参考文献  74-77
论文总结  77-79
硕士期间发表论文  79-81
致谢  81-85

相似论文

  1. 硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究,TN304.05
  2. 解吸附电喷雾质谱用于食品污染物直接分析的研究,TS207.5
  3. 春柴胡化学成分研究,R284
  4. AlGaN/GaN HEMT的模拟及研究,TN325
  5. 微波宽带低噪声放大器的研究与设计,TN722.3
  6. 多氮开环配合物的合成、表征及性质研究,O641.4
  7. GaAs高频大功率场效应晶体管设计,TN386
  8. 电喷雾质谱在药物分析和反应机理研究中的应用,TQ460.72
  9. 荧光标记DNA片段高效液相色谱质谱分析及荧光特性研究,TH843
  10. 火龙果花的化学成分研究及黄酮、三萜和木脂素类化合物的质谱解释,R284
  11. 几种4-酰基吡唑啉酮类化合物的理论研究,O626
  12. 抗氧化作用机理和尿液电化学特性的研究,R446.1
  13. GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究,TN304
  14. GaN基双异质结特性研究,TN304.2
  15. 离子阱质谱应用于美托洛尔代谢和氟喹诺酮裂解研究,R91
  16. AlGaN/GaN FP-HEMTs研究,TN386.3
  17. AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造与研究,TN386.3
  18. 印染织品和废水中直接染料的色谱与荧光分析研究,X791
  19. 嘧啶、硫代酰胺化合物及其配合物的合成、表征与性质研究,O641.4
  20. 硅基螺旋电感和GaAs HEMT建模研究,TN386

中图分类: > 数理科学和化学 > 化学 > 分析化学 > 仪器分析法(物理及物理化学分析法) > 质谱分析
© 2012 www.xueweilunwen.com