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基于自偏置技术的锁相环设计与研究
作 者: 曹羽欧
导 师: 李章全; 王国兴; 翟大伦
学 校: 上海交通大学
专 业: 电路与系统
关键词: 锁相环 压控振荡器 自偏置技术 低噪声
分类号: TN911.8
类 型: 硕士论文
年 份: 2013年
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内容摘要
由于越来越低的供电电压与深亚微米效应的影响,对于锁相环的性能提出了更高的要求。对于经典结构的锁相环,分频系数对环路带宽和环路稳定性影响很大,而工艺的偏差以及温度变化也会影响环路的工作状态,这样,想得到一个宽频率范围,低噪声的时钟信号变得非常困难。自偏置锁相环便是一个比较有代表性的解决方案。本文着重研究了自偏置锁相环的环路参数设计,环路稳定性分析,以及如何实现其性能优化,并采用中芯国际55nm低漏电数字逻辑工艺进行硅验证。在环路参数设计方面,本文分析了环路参数由于工艺,电压和温度等条件的变化对整个环路稳定性的影响,并在此基础上,提出了基于稳定性优化的环路参数设计方法。在具体的电路实现上,详细论述了各个模块的实现方法。研究了自偏置环路的实现方式存在的问题并提出了相应的改进方案,并研究分析了差分电压控制振荡器的电路结构。通过理论分析,仿真,硅验证以及最终得到的测试结果,验证了本文提出的设计方案。本文的内容包含以下几部分:1.首先分析了经典结构锁相环的电路模块功能,包括鉴频鉴相器(PFD),电荷泵(CP),压控振荡器(VCO)和低通滤波器(LPF),然后对各模块功能进行了分析。包括各个模块的功能,各种非理想因素的环路噪声的贡献以及噪声传输函数的计算与分析,最终得到其噪声传输特性。2.对锁相环整个环路进行分析,锁相环设计两个重要的参数:环路带宽ωn和阻尼系数ζ,分析这两个参数对环路性能的影响,以及如何利用各种电流,电压转换来消除制程,温度和电源电压的影响,这也是自偏置锁相环的设计基础。3.深入分析自偏置锁相环的工作原理,设计思想与实现方法。对于环路设计,利用电路技术来实现锁相环的ωn/ωref和ζ与工艺,电源电压和温度无关;对压控振荡器设计,采用了对称负载型延迟单元,这种结构可以实现线性的V-I特性,可以保证压控振荡器输出频率增益的一致性。4.本文中提出的芯片设计由中芯国际55nm低漏电数字逻辑工艺制造,芯片采用1.2V单电压供电,频率输出范围是0.5GHz~1.5GHz,工作电流为4.2mA,芯片面积为260um*280um。经测试,均方抖动为3.8ps,峰-峰值抖动25ps。
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全文目录
摘要 5-7 ABSTRACT 7-15 第一章 绪论 15-21 1.1 模拟锁相环的发展现状 15-16 1.2 锁相环的工作原理及应用 16-18 1.2.1 锁相环的工作原理 16 1.2.2 锁相环的应用 16-18 1.3 锁相环的研究背景及分类 18-21 第二章 锁相环的基本结构 21-32 2.1 电荷泵锁相环的环路结构 21-22 2.2 鉴频鉴相器 22-24 2.3 电荷泵 24-26 2.4 环路滤波器 26-27 2.5 压控振荡器 27-31 2.5.1 振荡器的起振条件 28-29 2.5.2 压控振荡器的种类 29-30 2.5.3 压控振荡器的传输函数 30-31 2.6 本章小结 31-32 第三章 锁相环的环路参数和噪声分析 32-43 3.1 锁相环的环路参数分析 32-36 3.1.1 锁相环的传输方程 32-35 3.1.2 环路参数设计流程 35-36 3.2 衡量环路特性的两个重要参数 36-37 3.2.1 阻尼系数 36-37 3.2.2 环路带宽 37 3.3 锁相环的噪声分析 37-43 3.3.1 噪声模型及噪声传输函数分析 38-41 3.3.2 环路噪声优化 41-43 第四章 自偏置锁相环的设计原理及仿真 43-58 4.1 自偏置锁相环的理论分析 44-49 4.2 自偏置锁相环的环路设计 49-53 4.2.1 带宽与输入频率之比的确定 51-52 4.2.2 阻尼系数的确定 52-53 4.3 自偏置锁相环的具体电路实现 53-56 4.3.1 电荷泵电路 53-54 4.3.2 VCO 电路的实现 54-56 4.3.3 ID/N的电流实现 56 4.4 电路的整体仿真结果 56-57 4.5 本章小结 57-58 第五章 自偏置锁相环的版图设计及芯片测试 58-65 5.1 版图设计 58-60 5.2 芯片测试及结果分析 60-62 5.2.1 测试设备 60-61 5.2.2 测试示意图 61-62 5.3 测试结果 62-65 5.3.1 时域抖动测试 62-63 5.3.2 相位噪声测试 63-65 参考文献 65-70 附录 70-73 致谢 73-74 攻读学位期间发表的学术论文 74
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 通信 > 通信理论 > 相位锁定、锁相技术
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