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TFT Active层成膜Particle的分析与研究

作　者: 常曙光
导　师: 吕银祥
学　校: 复旦大学
专　业: 材料工程
关键词: 等离子体 PECVD a-Si:H Active层 Particle
分类号:
类　型: 硕士论文
年　份: 2011年
下　载: 8次
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内容摘要

Active层成膜Particle所产生的点类缺陷是造成TFT产品良率损失的最大项不良,这也是目前TFT制造工厂所共同面对的难题。PECVD设备制造厂家也在不断地通过优化结构设计、提升设备性能来降低成膜过程中设备所产生的Particle,虽然已取得了一些进展,但结果仍不能令人满意。本文首先介绍了PECVD设备的结构和成膜工艺,并重点介绍了Active层“三层薄膜结构”及成膜工艺；随后按Particle在Active层薄膜中的位置,区分为膜上、膜中和膜下三种,并对其成分和来源分别进行了分析；最后通过实验,对影响Active层成膜Particle产生的多种因素进行了研究,并给出了降低Active层成膜Particle的多种有效控制方案。文中关于Active层成膜Particle的分析和研究内容均来源于上海天马微电子有限公司TFT工厂量产线,对同行TFT制造工厂的品质管理和良率提升有极高的指导价值。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-6
第一章 TFT-LCD的发展  6-9
  第一节 TFT-LCD技术的发展与回顾  6-7
  第二节 TFT-LCD产业的发展与现状  7-8
  第三节本章小结  8-9
第二章 PECVD设备结构和成膜原理  9-17
  第一节等离子体  9-10
  第二节鞘层和射频二极放电系统  10-11
  第三节 PECVD设备结构  11-14
  第四节 PECVD成膜原理  14-16
  第五节本章小结  16-17
第三章 a-Si：H TFT Active层结构和成膜工艺  17-28
  第一节 a-Si：H TFT器件结构和阵列工艺  17-22
  第二节 a-Si：H TFT Active层结构和成膜工艺  22-27
  第三节本章小结  27-28
第四章 TFT Active层成膜Particle的分析与研究  28-52
  第一节 Active层成膜Particle概述  28-29
  第二节 Active层膜下Particle的分析与研究  29-33
  第三节 Active层膜内Particle的分析与研究  33-47
  第四节 Active层膜上Particle的分析与研究  47-51
  第五节本章小结  51-52
第五章论文总结  52-54
致谢  54-55
参考文献  55-57

TFT Active层成膜Particle的分析与研究

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