学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

1.47μm半导体激光器结构设计与模拟

作　者: 陈为波
导　师: 李林
学　校: 长春理工大学
专　业: 光学工程
关键词: 1.47μm 半导体激光器 lastip InGaAsP/InP TI-MQW
分类号: TN248.4
类　型: 硕士论文
年　份: 2013年
下　载: 4次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

1.47μm是半导体激光器的一个常见的波长,它最初主要被应用于光通信领域,后来进一步拓展到了安全技术领域、医疗、通信、生物工程、光谱分析等方面。本文主要对1.47μm半导体激光器在材料和器件结构方面进行了研究以及模拟。本文对InGaAsP/InP材料系进行了讨论研究,并且通过应变量子阱理论还有器件结构理论,得到合适的应变量和阱宽、垒宽、量子阱数目等合理的激光器参数。根据材料阈值、温度特性、电学特性等,进而设计了激光器的腔长、SCH结构、以及波导层等,得到我们所需的激光器结构。半导体激光器对温度变化很敏感,因而温度特性对半导体激光器来说是一个很重要的性质。我们通过模拟软件Lastip对本文设计的激光器进行了与温度相关模拟分析。模拟分析了温度对激光器电流密度、阈值电流、功率以及波长等的影响。为了进一步提高器件的温度特性,本文又设计了TI结构的激光器并和前面设计的激光进行了细致的对比。通过一系列的模拟分析看到本文的结构还是比较理想的,尤其是TI结构的激光器在温度特性上有很大的提高。

全文目录

摘要  4-5
ABSTRACT  5-7
第一章绪论  7-17
  1.1 引言  7-12
  1.2 半导体激光器材料概况  12-13
  1.3 软件介绍  13-14
  1.4 论文研究的目的和内容  14-17
第二章半导体激光器材料以及器件基本理论  17-36
  2.1 半导体激光器的材料基础  17-22
  2.2 半导体异质结  22-30
  2.3 半导体激光器工作原理  30-32
  2.4 InGaAsP/InP材料特性  32-35
  2.5 本章小结  35-36
第三章 1.47μm InGaAsP/InP多量子阱激光器的设计及优化  36-50
  3.1 1.47μm激光器的材料选取  36
  3.2 激光器有源区设计与优化  36-44
  3.3 激光器的波导设计  44-47
  3.4 腔长的优化  47-48
  3.5 本章小结  48-50
第四章激光器的模拟分析  50-68
  4.1 激光器结构模拟  50-56
  4.2 激光器的温度特性  56-60
  4.3 TI结构以及其对激光器温度特性的影响  60-67
  4.4 本章小结  67-68
第五章结论  68-69
致谢  69-70
参考文献  70-73
发表和待发表论文目录  73

1.47μm半导体激光器结构设计与模拟

内容摘要

全文目录

相似论文