学位论文 > 优秀研究生学位论文题录展示

KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究

作　者: 王志诚
导　师: 张荣君; 朱晓峥
学　校: 复旦大学
专　业: 集成电路
关键词: 半导体光刻曝光机掩模版光刻胶
分类号: TN405
类　型: 硕士论文
年　份: 2012年
下　载: 32次
引　用: 0次
阅　读: 论文下载

内容摘要

在集成电路制造中,以光刻技术为主要方法的微细加工是实现大规模集成电路的一个关键技术,单个半导体器件的几何尺寸的大小依赖于该技术的不断进步,芯片集成度的突飞猛进得益于该技术的快速发展。目前在光刻工艺中需要使用掩模版将设计图形转移到晶圆上。通常在设计制造掩模版时需要考虑曝光光源的影响,所以需要对掩模版上图形进行一定的修正,从而避免或减小图形的失真。但是对于不同的曝光光源对掩模版图形的修正具有不同的方法,同时掩模版所使用的相移掩模厚度也会不同,将造成掩模版无法在不同光源的光刻机上使用,从而造成生产资源的闲置,间接造成制造成本的增加。本论文将研究将KrF掩模版应用于ArF曝光机上,首先通过光刻胶的性能选择合适的ArF光刻胶,再用prolitho仿真软件的模拟,确定最佳的光刻胶厚度。再对ArF光刻机的制程参数进行调整及优化,选择最佳的NA及Sigma。同时与基准制程(KrF制程)相对比,通过实验找到ArF工艺最佳的DOF及曝光能量,从UDOF及EL确定工艺窗口ArF工艺大小。为了能够得到良好的CD,通过CD均匀性实验,检查硅片上CD的整体情况,同时通过对光阻做ADI及AEI剖面图,检查在显影及蚀刻工艺后的光刻胶情况。最后经过2个LOT的试生产检查产品是否具有缺陷。经过以上工作使得ArF曝光机能够兼容KrF掩模版,从而大大提高ArF机台的利用率,达到提高产量并减小成本的目的。

全文目录

摘要  3-4
Abstract  4-5
第1章引言  5-8
  1.1 研究背景  5-6
  1.2 本文研究意义  6-7
  1.3 本章小结  7-8
第2章光刻技术原理及工艺流程  8-20
  2.1 光刻工艺在集成电路制造中的作用  8-9
  2.2 光刻技术的光学原理  9-12
  2.3 光刻技术的工艺流程  12-18
  2.4 光刻曝光光源  18-19
  2.5 本章小结  19-20
第3章光刻分辨率增强技术的应用与分析  20-26
  3.1 离轴照明技术  20-23
  3.2 相移掩模技术  23-24
  3.3 光学邻近效应校正技术  24-25
  3.4 本章小结  25-26
第4章光刻胶选用及其评估  26-39
  4.1 光刻胶的类型及其性能指标  26-28
  4.2 光刻胶反应机理  28-30
  4.3 深紫外线光刻胶  30
  4.4 光刻胶的选择及评估  30-38
  4.5 本章小结  38-39
第5章 KrF掩模版在ArF光刻机上应用与优化  39-64
  5.1 KrF掩模版与ArF掩模版的区别  39-41
  5.2 KrF光刻工艺与ArF光刻工艺对比  41-44
  5.3 ArF光刻工艺评估及工艺参数优化  44-53
  5.4 OPC模型验证  53-54
  5.5 CD均匀性和剖面检查  54-62
  5.6 硅片缺陷及产品良率检测  62-63
  5.7 本章小结  63-64
第6章总结与展望  64-66
  6.1 总结  64-65
  6.2 展望  65-66
参考文献  66-69
致谢  69-70

KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究

内容摘要

全文目录

相似论文