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MgZnO日盲紫外探测器的制备和性能研究
作 者: 曹建明
导 师: 秦杰明;张振中;蒋大勇
学 校: 长春理工大学
专 业: 材料学
关键词: 立方MgZnO合金薄膜 MOCVD MSM型结构 日盲紫外探测器
分类号: TN23
类 型: 硕士论文
年 份: 2011年
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内容摘要
MgZnO合金薄膜材料可以调制带隙范围很宽(3.37eV-7.8eV),涵盖了整个日盲紫外波段。这使得MgZnO可用于高灵敏度的日盲型紫外探测器。与GaN基材料相比,MgZnO具有自己的独特的优点,其生长温度低,有匹配的衬底(ZnO或MgO)等,这使得其缺陷密度远远小于GaN基材料,给器件性能提供了提升的空间。在本文中,采用金属有机气相沉积的方法(MOCVD)制备了单一立方相结构的、高Mg组分(Mg组分在0.5以上)的MgZnO合金薄膜。在此基础上,制备了MSM型MgZnO基日盲紫外探测器,实现了日盲紫外探测。具体研究内容如下:1.采用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,并通过改善生长条件,生长出了具有较高晶体质量的高Mg组分MgZnO合金薄膜材料。2.在氧气氛围下,对利用MOCVD方法制备Mg0.57Zno.43O样品进行一系列后期退火处理,退火温度分别为550℃,650℃,750℃,850。C,发现退火后的合金薄膜晶体质量有了大幅度的改善。3.制备了MSM型MgZnO基日盲紫外探测器,该探测器的基底为Mg组分为0.54的MgZnO合金薄膜材料,并对器件进行了光响应和I-V特性等表征。结果表明,在外加15V的偏压下,器件的光响应探测截止边在277nm,符合我们需要的日盲紫外探测,而且器件在5V偏压下,器件暗电流值为3pA。
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全文目录
摘要 4-5 ABSTRACT 5-6 目录 6-8 第一章 绪论 8-16 1.1 引言 8 1.2 半导体紫外光电探测器 8-12 1.2.1 半导体光电探测器的几个重要参数 9-12 1.2.2 理想日盲半导体紫外光电探测器的特点 12 1.3 MGZNO基紫外探测器的优势以及其发展现状 12-14 1.3.1 MgZnO基探测器的优势 12-13 1.3.2 MgZnO紫外探测器的研究现状 13-14 1.4 MGZNO合金薄膜材料及日盲紫外探测器存在的问题 14-15 1.5 本论文的选题依据以及研究内容 15-16 第二章 MGZNO合金薄膜材料及其探测器件的制备与表征 16-26 2.1 MGZNO合金薄膜材料的制备技术 16-18 2.1.1 金属有机气相沉积(MOCVD)技术 16-17 2.1.2 退火装置 17-18 2.2 日盲紫外探测器件的制备工艺 18-19 2.2.1 金属电极蒸镀 18 2.2.2 光刻、腐蚀工艺 18-19 2.3 MGZNO合金薄膜薄膜性质表征手段 19-24 2.3.1 透射和吸收光谱 19-20 2.3.2 X射线衍射普 20-21 2.3.3 扫描电子显微镜 21-22 2.3.5 能量色散谱仪 22 2.3.6 霍尔效应测量系统 22-24 2.4 紫外探测器件性能测试手段 24-25 2.4.1 光谱响应测试 24-25 2.4.2 瞬态响应测量 25 2.5 本章小结 25-26 第三章 立方相MGZNO薄膜材料制备与表征 26-40 3.1 ZNO的制备与结构以及光学性质的表征 27-32 3.1.1 ZnO的一些基本性质 27-28 3.1.2 ZnO的制备 28-29 3.1.3 ZnO结构和光学性质的表征 29-32 3.2 MGZNO的制备与结构以及光学性质的表征 32-39 3.2.1 MgZnO材料的特性 32-33 3.2.2 Mg组分为0.14的六方相MgZnO的制备与性能研究 33-36 3.2.3 Mg组分为0.57的立方相MgZnO的制备与结构、光学性质研究 36-39 3.3 本章小结 39-40 第四章 高MG组分立方相MGZNO薄膜的退火研究 40-45 4.1 热退火对MG组分为0.57的立方相MGZNO薄膜的晶体质量与相稳定性的影响 40-42 4.2 热退火对MG组分为0.57的立方相MGZNO薄膜的表面形貌和光学性质影响 42-44 4.3 本章小结 44-45 第五章 MSM型日盲紫外探测器的制备与特性研究 45-52 5.1 半导体光电探测器的分类和特点 45-47 5.2 MG_xZN_(1-x)O MSM型结构紫外探测器的制备与性质研究 47-51 5.2.1 MSM型结构探测器的原理与特性 47-48 5.2.2 MSM型结构日盲紫外探测器制备 48-50 5.2.3 MSM型Mg_(0.54)Zn_(0.46)O基紫外探测器的性能表征 50-51 5.3 本章小结 51-52 第六章 结论与展望 52-53 6.1 全文总结 52 6.2 研究展望 52-53 致谢 53-54 参考文献 54-57 硕士期间学术成果和参与项目 57
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中图分类: > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 紫外技术及仪器
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