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新型低压低功耗快闪存储器技术研究
作 者: 潘立阳
导 师: 朱钧;王纪民
学 校: 清华大学
专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 低压低功耗 快闪存储器 源极诱导带带隧穿热电子注入 PMOS选择分裂位线NOR 自收敛编程 可靠性
分类号: TP333
类 型: 博士论文
年 份: 2002年
下 载: 440次
引 用: 3次
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内容摘要
本论文首次提出了一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection)进行编程操作的新型快闪存储器技术和一种PMOS选择分裂位线NOR(PMOS Selected Divided Bit-Line NOR)快闪存贮阵列结构。通过对单元结构、操作模式、编程特性、读取特性、集成工艺和可靠性等方面的研究,确定了存储器在各种操作模式下的优化工作条件。论文同时还提出一种新型的自收敛SIBE软编程操作模式,对过擦除存储单元的阈值电压分布具有很好的收敛效果。相关研究表明该快闪存储器技术具有低编程电压、低编程功耗、高编程速度、高访问速度、高可靠性、自收敛性和易于缩小的优点,在低压低功耗快闪存储器产品中有着广阔的应用前景。
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全文目录
摘要 4-5 Abstract(英文摘要) 5-9 第一章 前言 9-14 第二章 快闪存储器技术概论 14-31 2.1 快闪存储器的电学特性 15-18 2.1.1 电容网络模型 16-17 2.1.2 快闪存储器的I-V特性 17-18 2.2 编程机制 18-24 2.2.1 沟道热电子注入 18-20 2.2.2 Fowler-Nordheim隧穿效应 20-21 2.2.3 带带隧穿 21-23 2.2.4 各种编程机制的比较 23-24 2.3 快闪存储器的阵列结构 24-27 2.3.1 NAND 25-26 2.3.2 NOR 26 2.3.3 DINOR 26-27 2.3.4 DuSNOR 27 2.3.5 NOR和NAND结构比较 27 2.4 快闪存储器技术的发展趋势和挑战 27-31 第三章 源极诱导带带隧穿热电子注入快闪存储器设计 31-61 3.1 SIBE Flash存储器的设计和开发流程 32-35 3.2 SIBE Flash存储器的单元结构和阵列结构设计 35-41 3.2.1 SIBE单元结构设计 35-36 3.2.2 SIBE存储单元的编程操作 36 3.2.3 SIBE存储单元的擦除操作 36-38 3.2.4 SIBE存储单元的双极增强读操作 38-39 3.2.5 阵列结构设计 39-41 3.3 单元工艺设计及模拟 41-44 3.4 器件编程特性和读特性模拟 44-53 3.4.1 擦除特性模拟 44-45 3.4.2 编程特性模拟 45-52 3.4.3 读特性模拟 52-53 3.5 单元工艺优化 53-59 3.6 本章小结 59-61 第四章 SIBE快闪存储器集成工艺设计及开发 61-81 4.1 SIBE快闪存储器集成工艺设计 61-67 4.2 关键工艺开发 67-74 4.2.1 Triple-Well工艺 67-69 4.2.2 浮栅多晶工艺 69-71 4.2.3 ONO生长工艺 71-74 4.3 CMOS工艺 74-79 4.3.1 CMOS双栅氧工艺 75-76 4.3.2 高低压CMOS特性研究 76-79 4.4 本章小结 79-81 第五章 SIBE快闪存储器编程特性及可靠性研究 81-106 5.1 存储单元特性研究 83-97 5.1.1 擦除特性研究 83 5.1.2 编程特性研究 83-88 5.1.3 读特性研究 88-91 5.1.4 SIBE编程的自收敛特性研究 91-97 5.2 SIBE快闪存储器可靠性研究 97-103 5.2.1 SIBE快闪存储器耐久性研究 97-99 5.2.2 SIBE快闪存储器串扰特性研究 99-103 5.3 本章小结 103-106 第六章 结论 106-108 攻读博士学位期间的研究成果及发表的学术论文 108-110 参考文献 110-124 致谢 124
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中图分类: > 工业技术 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 电子数字计算机(不连续作用电子计算机) > 存贮器
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